[發(fā)明專利]相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210070112.5
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN102779940A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫敏碩
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;郭放

1.一種相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件，包括：

下電極接觸，所述下電極接觸形成在下電極接觸孔中；

相變材料圖案，所述相變材料圖案被形成為包圍所述下電極接觸的上部的一側(cè)；以及

絕緣層，所述絕緣層被掩埋在所述相變材料圖案中并且被形成在所述下電極接觸的上表面上。

2.如權(quán)利要求1所述的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件，其中，所述相變材料圖案被形成為環(huán)型以包圍所述下電極接觸的上部的周圍。

3.如權(quán)利要求2所述的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件，還包括層間絕緣層，所述層間絕緣層被形成為包圍所述相變材料圖案的外周。

4.如權(quán)利要求1所述的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件，其中，所述下電極接觸孔具有中空圓柱形狀，并且所述下電極接觸包括形成在所述下電極接觸孔底部和側(cè)壁上的導(dǎo)電層。

5.如權(quán)利要求1所述的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件，其中，所述下電極接觸孔具有中空圓柱形狀，并且所述下電極接觸包括形成在所述下電極接觸孔的側(cè)壁的一部分上的導(dǎo)電層。

6.如權(quán)利要求5所述的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件，其中，所述下電極接觸還包括填充在所述下電極接觸孔的剩余區(qū)域中的絕緣層。

7.如權(quán)利要求1所述的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件，其中，所述下電極接觸孔具有中空四棱柱形狀，并且所述下電極接觸包括形成在所述下電極接觸孔的一個(gè)側(cè)壁上的導(dǎo)電層。

8.如權(quán)利要求7所述的相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件，其中，所述下電極接觸還包括填充在所述下電極接觸孔的其它區(qū)域中的絕緣層。

9.一種制造相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件的方法，包括以下步驟：

在半導(dǎo)體襯底上形成層間絕緣層，并將所述層間絕緣層圖案化以形成下電極接觸孔；

在所述下電極接觸孔中形成下電極接觸；

將所述層間絕緣層去除設(shè)定的深度以暴露出所述下電極接觸的上部；

在所述半導(dǎo)體襯底的整個(gè)結(jié)構(gòu)上形成相變材料層；以及

通過將所述相變材料層圖案化而形成相變材料圖案，所述相變材料圖案包圍所述下電極接觸的上部的一側(cè)并且暴露出所述下電極接觸的上表面。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，將所述相變材料層圖案化的步驟包括沿著所述相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器件的字線方向和位線方向?qū)⑺鱿嘧儾牧蠈訄D案化。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述下電極接觸孔被形成為中空圓柱形狀，

其中，形成所述下電極接觸的步驟包括在所述下電極接觸孔的底部和側(cè)壁上形成導(dǎo)電材料。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述下電極接觸孔被形成為中空圓柱形狀，

其中，形成所述下電極接觸的步驟包括以下步驟：

在所述下電極接觸孔的側(cè)壁的一部分上形成導(dǎo)電材料；以及

在形成有所述導(dǎo)電材料的所述下電極接觸孔的剩余區(qū)域中掩埋絕緣層。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述下電極接觸被形成為中空四棱柱形狀，

其中，形成所述下電極接觸的步驟包括以下步驟：

在所述下電極接觸孔的一個(gè)側(cè)壁上形成導(dǎo)電材料層；以及

在形成有所述導(dǎo)電材料層的下電極接觸孔的剩余部分中掩埋絕緣層。