[發明專利]半導體存儲裝置及其制造方法無效
| 申請號： | 201210070053.1 | 申請日： | 2012-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN102881821A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 金谷宏行 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 陳海紅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 存儲 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體存儲裝置，其特征在于，包括：
半導體基板；
多個單元晶體管，設置在上述半導體基板上；
接觸插頭，在相鄰的上述單元晶體管間埋入，與處于該相鄰的單元晶體管間的擴散層電連接；
層間絕緣膜，埋入多個上述接觸插頭間；
存儲元件，不設置在上述接觸插頭的上方，而設置在上述層間絕緣膜的上方；
側壁膜，覆蓋上述存儲元件的側面的至少一部分，從上述半導體基板的表面上方看時，以與上述接觸插頭重疊的方式設置；
下部電極，設置在上述存儲元件的底面和上述層間絕緣膜之間及上述側壁膜和上述接觸插頭之間，電連接上述存儲元件和上述接觸插頭。
2.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
從上述半導體基板的表面上方看時，上述側壁膜的外緣的形狀是與上述下部電極的外緣的形狀大致相同的形狀。
3.權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
從上述半導體基板的表面上方看時，上述側壁膜及上述下部電極為大致圓形，上述側壁膜及上述下部電極的中心大致一致。
4.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
從上述半導體基板的表面上方看時，上述存儲元件的外緣的形狀與上述下部電極的外緣的形狀大致相似。
5.權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
從上述半導體基板的表面上方看時，上述存儲元件的外緣的形狀與上述下部電極的外緣的形狀大致相似。
6.權利要求4所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
從上述半導體基板的表面上方看時，上述存儲元件及上述下部電極為大致圓形，上述存儲元件及上述下部電極的中心大致一致。
7.權利要求1到權利要求5所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
從上述半導體基板的表面上方看時，上述存儲元件和上述接觸插頭不重疊，具有間隙部分，
上述下部電極設置在上述間隙部分。
8.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
上述側壁膜是至少硅氮化膜、鋁氧化物、鋯氧化物或這些的膜的復合膜。
9.權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
上述側壁膜是至少硅氮化膜、鋁氧化物、鋯氧化物或這些的膜的復合膜。
10.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
還包括：上部電極，設置在上述存儲元件上；
上述側壁膜設置在上述上部電極的側面、上述存儲元件的側面及上述下部電極的頂面的一部分。
11.權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
還包括：上部電極，設置在上述存儲元件上；
上述側壁膜設置在上述上部電極的側面、上述存儲元件的側面及上述下部電極的頂面的一部分。
12.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
上述存儲元件包含2個磁性層和在該2個磁性層間設置的隧道阻擋膜，
上述側壁膜設置在上述隧道阻擋膜的頂面上及該隧道阻擋膜上某一方的上述磁性層的側面。
13.權利要求2所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
上述存儲元件包含2個磁性層和在該2個磁性層間設置的隧道阻擋膜，
上述側壁膜設置在上述隧道阻擋膜的頂面上及該隧道阻擋膜上某一方的上述磁性層的側面。
14.權利要求10所述的半導體存儲裝置，其特征在于，
上述上部電極是至少Ta、氮化鈦、氮化鎢、氮化鉭、Pt、Ir、Ru、Pd或這些材料的復合膜。
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