[發明專利]氮化硅的熱化學氣相沉積

有效

• 申請號: 201210069512.4
• 申請日: 2004-08-25
• 公開（公告）號: CN102586757A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: R·S·伊爾;S·M·蘇特;J·W·史密斯;G·W·迪貝羅;A·塔姆;B·特蘭;S·坦東
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/34;C23C16/455
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

1.一種用以在半導體基材上以低溫沉積膜的設備，包括：

處理室本體和室蓋，該處理室本體和室蓋界定出處理區；

基材托架，配置在該處理區中；

氣體輸送系統，裝配在該室蓋上，該氣體輸送系統包括轉接環和兩個折流板，該轉接環和兩個折流板界定出氣體混合區，該氣體輸送系統還包括直接與該轉接環接觸的面板；以及

加熱元件，配置對該轉接環加熱。

2.如權利要求1所述的設備，其特征在于，該些折流板中的一個被固定至該室蓋并且另一個折流板被固定至該轉接環。

3.如權利要求1所述的設備，其特征在于，該加熱元件直接接觸該轉接環。

4.如權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括狹縫閥襯墊，部分填充該處理室本體中的狹縫閥通道。

5.如權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括環繞該基材托架的排氣抬升板及位于該排氣抬升板上的蓋板，其中該蓋板有多個足額分配的孔。

6.如權利要求1所述的設備，其特征在于，還包括氣化器，與該混合區互相流通。

7.如權利要求6所述的設備，其特征在于，該氣化器是與雙(第三-丁基胺)硅烷的供應源互相流通。

8.一種用以在半導體基材上以低溫沉積膜的設備，包括：

處理室本體和室蓋，該處理室本體和室蓋界定出處理區；

第一折流板，固定至該室蓋；

轉接環，固定至該室蓋；

加熱元件，與該轉接環接觸；

第二折流板，固定至該轉接環；

面板，與該轉接環接觸；以及

基材托架，配置在該處理區中。

9.如權利要求8所述的設備，其特征在于，還包括環繞該基材托架的排氣抬升板及位于該排氣抬升板上的蓋板，其中該蓋板有多個足額分配的孔。

10.如權利要求8所述的設備，其特征在于，還包括氣化器，與該混合區互相流通。

11.如權利要求10所述的設備，其特征在于，該氣化器與雙(第三-丁基胺)硅烷的供應源互相流通。

12.如權利要求10所述的設備，其特征在于，該氣化器與承載氣體系統互相流通。

13.如權利要求8所述的設備，其特征在于，還包括狹縫閥襯墊，部分填充該處理室本體中的狹縫閥通道。

14.如權利要求13所述的設備，其特征在于，該基材托架位于該面板下方而該面板位于該些折流板的下方。

15.一種用于在基材上沉積包含硅和氮的層的方法，包括：

使雙(第三-丁基胺)硅烷氣化；

使該雙(第三-丁基胺)硅烷流入處理室內，該處理室具有由轉接環和至少兩個折流板所界定的混合區；

對該轉接環加熱；

使該雙(第三-丁基胺)硅烷流經加熱的面板而進入基材上方的處理區。

16.如權利要求15所述的方法，其特征在于，還包括在溫度550℃至800℃下沉積該氮化硅層。

17.如權利要求15所述的方法，其特征在于，還包括在壓力10至350Torr下沉積該氮化硅層。

18.如權利要求15所述的方法，其特征在于，該雙(第三-丁基胺)硅烷在進入該混合區之前先與氨、氮、聯胺、氦、氫、鍺烷或上述的混合物混合。

19.如權利要求15所述的方法，其特征在于，該加熱的面板和該基材的間距介于675-850密耳之間。

20.如權利要求15所述的方法，其特征在于，還包括將該面板的溫度維持在100℃至350℃之間。

21.如權利要求20所述的方法，其特征在于，還包括將該面板與該室的蓋進行熱隔離。

22.一種用于在基材上沉積包含硅和氮的層的方法，包括：

將包含雙(第三-丁基胺)硅烷和承載氣體的氣體混合物流入處理室，該處理室具有由蓋、轉接環以及至少一個折流板界定的混合區，其中該轉接環將至少一個折流板與該蓋熱隔離；

加熱該轉接環；

將該氣體混合物流經加熱的氣體分配板進入基材上方的處理區；以及

將該基材加熱以沉積該包含硅和氮的層。