[發明專利]一種低反射率單晶硅制絨添加劑無效
| 申請號： | 201210069174.4 | 申請日： | 2012-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN102586887A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 屈盛 | 申請（專利權）人： | 蘇州先拓光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C30B29/06 |
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| 地址： | 215101 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 反射率 單晶硅 添加劑 | ||
1.一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于它的配方組份為：三聚磷酸鈉、丁基萘磺酸鈉和去離子水。
2.根據權利要求1所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于所述的三聚磷酸鈉濃度在5wt％-10wt％之間，所述的丁基萘磺酸鈉濃度在1wt％-5wt％之間。
3.根據權利要求1所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于其應用于單晶硅片的絨面制作時，單晶硅片的表面反射率在400nm-1100nm的波長范圍內的平均值可以由目前的10％左右下降到8％以下。
4.根據權利要求1所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于其應用于單晶硅片的絨面制作時，可以獲得均勻、細小、密集的絨面金字塔，金字塔尺寸在1-3μm之間。
5.根據權利要求1所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于其應用于單晶硅片的絨面制作時，需要將其加入到硅片的腐蝕液中，其所占腐蝕液的體積比例為0.1v/v％-5.0v/v％之間。
6.根據權利要求5所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于硅片的表面反射率與加入到腐蝕液中的添加劑的量有關系，加入的量越大，表面反射率越低。
7.根據權利要求5所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于其應用于單晶硅片的絨面制作時，硅片的腐蝕液為氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液，而且氫氧化鈉(鉀)的濃度在0.5wt％-3.0wt％之間。
8.根據權利要求5所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于其應用于單晶硅片的絨面制作時，腐蝕液的溫度在70℃-85℃之間，硅片的腐蝕時間在15-30分鐘之間。
9.根據權利要求1所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于其應用于大批量單晶硅片的絨面制作時，每批制絨后，需要適量補充。
10.根據權利要求1所述的一種低反射率單晶硅制絨添加劑，其特征在于其應用于大批量單晶硅片的絨面制作時，每批制絨后，需要往腐蝕液中適量補充氫氧化鈉或氫氧化鉀。
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