[發(fā)明專利]一種紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210069046.X | 申請(qǐng)日: | 2012-03-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102618262A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 余錫賓;羅宏德;鄭霄;許博;任快俠;韓麗仙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海師范大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C09K11/59 | 分類號(hào): | C09K11/59;C09K11/63;C09K11/64;C09K11/62;H01L33/50;G02F1/13357;F21K2/00 |
| 代理公司: | 上海伯瑞杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31227 | 代理人: | 吳瑾瑜 |
| 地址: | 200234 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 紫光 激發(fā) 調(diào)光 熒光 材料 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于發(fā)光材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及該發(fā)明公開(kāi)了一種紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料及其制備方法。
背景技術(shù)
自1993年率先在藍(lán)色GaN-LED技術(shù)上突破,繼而白色LED推向市場(chǎng),引起了業(yè)內(nèi)外人士極大的關(guān)注。因?yàn)椋c傳統(tǒng)照明光源相比,白光LED有許多優(yōu)點(diǎn),體積小、能耗少、響應(yīng)快、壽命長(zhǎng)、無(wú)污染等,因此被喻為第四代照明光源。目前傳統(tǒng)商業(yè)化的藍(lán)光LED芯片發(fā)射波長(zhǎng)在460nm左右,由于其發(fā)射波長(zhǎng)較長(zhǎng),不可避免地存在著能量較低、光譜覆蓋范圍不夠?qū)挕@色性較差等缺點(diǎn)。YAG:Ce熒光粉作為最為常用的商業(yè)藍(lán)光激發(fā)LED熒光粉由于生產(chǎn)時(shí)需要使用大量稀土,導(dǎo)致其成本高昂,并且發(fā)射光譜中缺少紅光成分,與藍(lán)光LED芯片匹配后顯色指數(shù)較低等,這些缺點(diǎn)極大的限制了藍(lán)光激發(fā)LED的應(yīng)用。
針對(duì)如上問(wèn)題,人們正在把目光投向于波長(zhǎng)較短的紫光LED芯片。紫光LED芯片由于其自身發(fā)射波長(zhǎng)為400~450nm,以典型的420nm紫光激發(fā)LED芯片為例,在相同條件下其能量比藍(lán)光LED芯片高出20%,這就意味著與相應(yīng)熒光粉匹配后可獲得高效的白光發(fā)射;另一方面,由于紫光LED芯片發(fā)射波長(zhǎng)較短,與熒光粉匹配后光譜的覆蓋的范圍更寬,可獲得比藍(lán)光激發(fā)LED更好的顯色性。理論計(jì)算可知,與420nm紫光LED芯片匹配最佳的熒光粉發(fā)射光譜峰位應(yīng)為發(fā)射主峰在555nm附近的寬帶峰,匹配后可獲得色溫較低的暖白光。
但是,目前能夠滿足這一要求的熒光粉非常少,一方面以傳統(tǒng)藍(lán)光激發(fā)熒光粉直接與紫光LED芯片結(jié)合,激發(fā)匹配問(wèn)題導(dǎo)致其發(fā)光效率極其低下;另一方面,市場(chǎng)上尚未出現(xiàn)能與紫光LED芯片有良好匹配的商業(yè)熒光粉。因此,目前LED研發(fā)方向?yàn)樘綄た杀蛔瞎釲ED芯片395nm~450nm有效激發(fā)的暖白光熒光粉。硅酸三鍶體系作為一種新型熒光基質(zhì),具有很高的化學(xué)和熱穩(wěn)定性、顯色性以及良好的溫度猝滅效應(yīng)。目前Sr3-xSiO5:Cex3+熒光體由于其發(fā)射光譜在530nm,缺少紅光成分,造成其與420nm紫光LED匹配后色溫偏高;其次,由于Ce3+對(duì)Sr2+取代造成熒光強(qiáng)度的不足,限制了實(shí)際的應(yīng)用。
本專利中,針對(duì)如上問(wèn)題,使用B3+、Al3+、Ga3+與Eu2+對(duì)Sr3-xSiO5:Cex3+進(jìn)行改性,使其發(fā)射強(qiáng)度有了明顯的提升并且使其顯色性得到了極大的改善。該熒光體可適用于日光色LED及暖白光LED照明多種用途,同時(shí)也有可能作為液晶顯示器背光源用熒光粉,填補(bǔ)了這一領(lǐng)域的空白。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種安全無(wú)毒,化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、易長(zhǎng)期保存、熒光性能穩(wěn)定、可調(diào)光的紫光激發(fā)黃光發(fā)射的熒光材料,并提供一種成本低廉、工藝簡(jiǎn)捷,節(jié)能環(huán)保又易于工業(yè)化生產(chǎn)的制備方法。
為達(dá)到上述目標(biāo),本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料,其特征在于,其化學(xué)表達(dá)式如下:Sr3-(x+y)MzSi1-zO5:Cex3+,Euy2+,其中M為B3+、Al3+和Ga3+中的一種或兩種,0≤x≤0.1,0≤y≤0.1,0≤z≤0.1。
該熒光材料在400nm~450nm的區(qū)間有很強(qiáng)的激發(fā),在發(fā)射峰主峰為在530nm~580nm的范圍有很強(qiáng)的發(fā)射,且發(fā)射光譜峰位可從530nm調(diào)節(jié)至580nm。與420nm紫光LED芯片匹配后,色溫可從8500K調(diào)節(jié)至3700K,可制成冷白光至暖白光多種白光LED。
上述紫光激發(fā)的可調(diào)光熒光材料的制備方法,具體步驟如下:
1)按照Sr3-(x+y)MzSi1-zO5:Cex3+,Euy2+中除氧以外各元素的化學(xué)計(jì)量比稱取鍶鹽,二氧化硅,鋁的化合物,鎵的化合物,鈰的化合物和銪的化合物;
2)在室溫條件下將上述原料研磨混合均勻;
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C09K11-08 .含無(wú)機(jī)發(fā)光材料





