[發明專利]基于復合材料的介質基板及其制造方法有效
| 申請號: | 201210068893.4 | 申請日: | 2012-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN102632655A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發明(設計)人: | 劉若鵬;徐冠雄;金曦 | 申請(專利權)人: | 深圳光啟創新技術有限公司 |
| 主分類號: | B32B15/08 | 分類號: | B32B15/08;B32B27/04;B32B37/15 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518034 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 復合材料 介質 及其 制造 方法 | ||
1.一種基于復合材料的介質基板,其特征在于,包括第一導電箔和依附于所述第一導電箔上的復合材料,所述復合材料包括母體材料、高介電常數的粉末顆粒及包裹所述高介電常數的粉末顆粒的有機高分子材料;所述高介電常數的粉末顆粒和有機高分子材料形成核殼結構,所述母體材料和有機高分子材料互不相溶;所述核殼結構無規則離散地分布嵌入在所述母體材料中,其中所述高介電常數的粉末顆粒的粒徑在0.1um-2um之間。
2.根據權利要求1所述的介質基板,其特征在于:所述母體材料為高分子材料,選用環氧樹脂、聚烯烴、聚丙烯酸酯類、聚硅氧烷類及其共聚物或共混物中的任意一種。
3.根據權利要求2所述的介質基板,其特征在于:所述高介電陶瓷材料選用鈦酸鋇-錫酸鈣和鈦酸鋇-鋯酸鋇系高介電常數鐵電陶瓷、鈦酸鋇-錫酸鉍系介電常數變化率低的鐵電陶瓷、鈦酸鋇-鋯酸鈣-鈮鋯酸鉍和鈦酸鋇-錫酸鋇系高壓鐵電陶瓷以及多鈦酸鉍及其與鈦酸鍶等組成的固溶體系低損耗鐵電陶瓷中的任意一種。
4.根據權利要求3所述的介質基板,其特征在于:所述介電常數的粉末顆粒表面上涂覆有活性劑,有機高分子材料通過化學鍵或氫鍵等吸附在表面活性劑上以形成所述核殼結構。
5.根據權利要求4所述的介質基板,其特征在于:所述有機高分子材料選用聚苯乙烯(PS)或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的任意一種。
6.根據權利要求5所述的復合材料,其特征在于:所述介質基板還包括第二導電箔;所述復合材料位于第一導電箔和第二導電箔之間,其中第一導電箔和第二導電箔選銅、銀或者金中的任意材料制得。
7.一種介質基板的制造方法,其特征在于:所述制造方法包括如下步驟:
a.將高介電常數陶瓷加工成粉末顆粒;
b.將高介電常數陶瓷粉末顆粒表面包裹有機高分子材料,形成核殼結構;
c.將上述核殼結構和母體材料溶液按照一定比例進行混合配制成粘度溶液;
d.提供第一導電箔,將粘度溶液涂布在第一導電箔上;
e.烘干和固化上述粘度溶液。
8.根據權利要求7所述的制造方法,其特征在于:所述制造方法還包括如下步驟:
g.將覆第一導電箔介質基板與第二導電箔壓合。
9.根據權利要求7或8所述的制造方法,其特征在于:所述制造方法b步驟還包括如下步驟:
在高介電常數陶的粉末顆粒表面上涂覆有活性劑將高介電常數的粉末顆粒表面改性,然后有機高分子材料通過化學鍵或氫鍵等吸附在表面活性劑上。
10.一種介質基板的制造方法,其特征在于:所述制造方法包括如下步驟:
H.提供高介電常數的粉末顆粒;
I.將高介電常數的粉末顆粒表面包裹有機高分子材料,形成核殼結構;
J.將上述核殼結構和母體材料溶液按照一定比例進行混合配制成粘度溶液;
K.提供第一導電箔,將粘度溶液涂布在第一導電箔上;
L.烘干和固化上述粘度溶液。
11.根據權利要求10所述的制造方法,其特征在于:所述制造方法還包括如下步驟:
M.將覆第一導電箔介質基板與第二導電箔壓合。
12.根據權利要求10或11所述的制造方法,其特征在于:所述制造方法I步驟還包括如下步驟:
在高介電常數的粉末顆粒表面上涂覆有活性劑將高介電常數的粉末顆粒表面改性,然后有機高分子材料通過化學鍵或氫鍵等吸附在表面活性劑上。
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