[發明專利]存儲裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210068710.9
• 申請日: 2012-03-15
• 公開（公告）號: CN102983272A
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發明（設計）人: 山中貴哉;首藤晉;淺尾吉昭
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 周春燕;陳海紅

1.一種存儲裝置，其特征在于，具備：

第1信號線；

第2信號線；

晶體管，其對在前述第1信號線與前述第2信號線之間流動的第1方向的電流及與前述第1方向相反的第2方向的電流的各自的導通進行控制；

第1存儲區域，其連接于前述第1信號線與前述晶體管的一端之間，具有第1磁性隧道接合元件，該第1磁性隧道接合元件若在前述第1方向流動第1平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為平行，若在前述第2方向流動第1反平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為反平行；以及

第2存儲區域，其連接于前述第2信號線與前述晶體管的另一端之間，具有第2磁性隧道接合元件，該第2磁性隧道接合元件若在前述第2方向流動比前述第1平行閾值大的第2平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為平行，若在前述第1方向流動比前述第1反平行閾值大的第2反平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為反平行。

2.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：

前述第1磁性隧道接合元件具有將第1磁化自由層、第1隧道勢壘層及第1磁化固定層按順序層疊而成的第1層疊體；

前述第2磁性隧道接合元件具有將第2磁化自由層、第2隧道勢壘層及第2磁化固定層按順序層疊而成的第2層疊體；

沿著前述第1方向，前述第1層疊體的層疊順序與前述第2層疊體的層疊順序相互相反。

3.根據權利要求2所述的存儲裝置，其特征在于：

前述第1磁化自由層的體積，比前述第2磁化自由層的體積小。

4.根據權利要求2所述的存儲裝置，其特征在于：

前述第1磁化自由層與前述第2磁化自由層在同一平面上以同一厚度設置；

前述第1隧道勢壘層與前述第2隧道勢壘層在同一平面上以同一厚度設置；

前述第1磁化固定層與前述第2磁化固定層在同一平面上以同一厚度設置。

5.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：

前述第1存儲區域具有第3磁性隧道接合元件，該第3磁性隧道接合元件設置于前述第1信號線與前述第1磁性隧道接合元件之間，且若在前述第1方向流動比前述第1平行閾值小的第3平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為平行，若在前述第2方向流動比前述第1反平行閾值小的第3反平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為反平行。

6.根據權利要求2所述的存儲裝置，其特征在于：

前述第1存儲區域具有第3磁性隧道接合元件，該第3磁性隧道接合元件設置于前述第1信號線與前述第1磁性隧道接合元件之間，且若在前述第1方向流動比前述第1平行閾值小的第3平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為平行，若在前述第2方向流動比前述第1反平行閾值小的第3反平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為反平行；

前述第3磁性隧道接合元件具有將第3磁化自由層、第3隧道勢壘層及第3磁化固定層按順序層疊而成的第3層疊體；

沿著前述第1方向，前述第1層疊體的層疊順序與前述第3層疊體的層疊順序相互相同。

7.根據權利要求1所述的存儲裝置，其特征在于：

前述第2存儲區域具有第4磁性隧道接合元件，該第4磁性隧道接合元件設置于前述第2信號線與前述第2磁性隧道接合元件之間，且若在前述第2方向流動比前述第2平行閾值小的第4平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為平行，若在前述第1方向流動比前述第2反平行閾值小的第4反平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為反平行。

8.根據權利要求2所述的存儲裝置，其特征在于：

前述第2存儲區域具有第4磁性隧道接合元件，該第4磁性隧道接合元件設置于前述第2信號線與前述第2磁性隧道接合元件之間，且若在前述第2方向流動比前述第2平行閾值小的第4平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為平行，若在前述第1方向流動比前述第2反平行閾值小的第4反平行閾值以上的電流則磁化的朝向成為反平行；

前述第4磁性隧道接合元件具有將第4磁化自由層、第4隧道勢壘層及第4磁化固定層按順序層疊而成的第4層疊體；

沿著前述第1方向，前述第2層疊體的層疊順序與前述第4層疊體的層疊順序相互相同。