[發(fā)明專(zhuān)利]電波吸收體單元有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210068665.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-15 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103108532A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐藤稔;倉(cāng)田滿(mǎn)義;森聰美 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | NEC東金株式會(huì)社;東金電磁相容科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H05K9/00 | 分類(lèi)號(hào): | H05K9/00 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 雒運(yùn)樸 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電波 吸收體 單元 | ||
1.一種電波吸收體單元,其具備由分別向規(guī)定方向突出的多個(gè)電波吸收體構(gòu)成的電波吸收集合體,其中,
在沿著所述規(guī)定方向的相反方向觀(guān)察所述電波吸收集合體的情況下,電波吸收體單元具有至少局部具有之字形形狀或凹凸形狀的外形。
2.如權(quán)利要求1所述的電波吸收體單元,其中,
在沿著所述相反方向觀(guān)察所述電波吸收集合體的情況下,所述電波吸收集合體具有之字形形狀或凹凸形狀的四邊。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電波吸收體單元,其中,
所述電波吸收集合體具備多列的由規(guī)定數(shù)量的所述電波吸收體構(gòu)成的電波吸收體列,
在沿著所述相反方向觀(guān)察所述電波吸收體單元的情況下,所述電波吸收體具有四邊形形狀,
所述電波吸收體列分別是以所述電波吸收體的所述四邊形形狀的對(duì)角線(xiàn)位于同一直線(xiàn)狀的方式且以相鄰的所述電波吸收體的所述四邊形形狀的頂點(diǎn)彼此相接的方式將所述規(guī)定數(shù)量的所述電波吸收體排列而成的。
4.如權(quán)利要求1或2所述的電波吸收體單元,其中,
所述電波吸收集合體分別具備多列的第一電波吸收體列以及多列的第二電波吸收體列,第一電波吸收體列由第一規(guī)定數(shù)量的所述電波吸收體構(gòu)成,第二電波吸收體列由比所述第一規(guī)定數(shù)量只大1的第二規(guī)定數(shù)量的所述電波吸收體構(gòu)成,
所述電波吸收體在沿著所述相反方向觀(guān)察所述電波吸收體單元的情況下具有四邊形形狀,
所述第一電波吸收體列分別是以所述電波吸收體的所述四邊形形狀的對(duì)角線(xiàn)位于同一直線(xiàn)狀的方式且以相鄰的所述電波吸收體的所述四邊形形狀的頂點(diǎn)彼此相接的方式將所述第一規(guī)定數(shù)量的所述電波吸收體排列而成的,
所述第二電波吸收體列分別是以所述電波吸收體的所述四邊形形狀的對(duì)角線(xiàn)位于同一直線(xiàn)狀的方式且以相鄰的所述電波吸收體的所述四邊形形狀的頂點(diǎn)彼此相接的方式將所述第二規(guī)定數(shù)量的所述電波吸收體排列而成的,
所述第一電波吸收體列與所述第二電波吸收體列交替排列。
5.如權(quán)利要求1所述的電波吸收體單元,其中,
所述電波吸收體在沿著所述相反方向觀(guān)察所述電波吸收體單元的情況下具有四邊形形狀,
至少兩個(gè)以上的所述四邊形形狀具有相互朝向同一方位的頂點(diǎn),
朝向所述同一方位的頂點(diǎn)構(gòu)成所述之字形形狀的一部分。
6.如權(quán)利要求3至5中任一項(xiàng)所述的電波吸收體單元,其中,
所述四邊形形狀為正方形形狀。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電波吸收體單元,其中,
所述電波吸收體單元具備板狀的基體部及在所述基體部上設(shè)置的多個(gè)電波導(dǎo)入部,
所述電波吸收體由所述電波導(dǎo)入部及與該電波導(dǎo)入部對(duì)應(yīng)的所述基體部的一部分構(gòu)成,
所述基體部在沿著所述相反方向觀(guān)察所述電波吸收體單元的情況下具有與所述電波吸收集合體相同的外周形狀。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電波吸收體單元,其中,
所述電波吸收體單元具備板狀的基體部及在所述基體部上設(shè)置的多個(gè)電波導(dǎo)入部,
所述電波吸收體由所述電波導(dǎo)入部及與該電波導(dǎo)入部對(duì)應(yīng)的所述基體部的一部分構(gòu)成,
所述基體部在沿著所述相反方向觀(guān)察所述電波吸收體單元的情況下具有與所述電波吸收集合體不同的外周形狀。
9.如權(quán)利要求8所述的電波吸收體單元,其中,
所述基體部在沿著所述相反方向觀(guān)察所述電波吸收體單元的情況下,被收納在作為可將所述電波吸收集合體包圍的最小尺寸的四邊形而被假想的區(qū)域內(nèi)。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的電波吸收體單元,其中,
所述電波吸收體分別具有正四棱錐形狀的電波導(dǎo)入部或一個(gè)以上的楔形狀的電波導(dǎo)入部。
11.如權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的電波吸收體單元,其中,
所述電波吸收體的在所述規(guī)定方向上的前端向所述相反方向凹陷。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于NEC東金株式會(huì)社;東金電磁相容科技股份有限公司,未經(jīng)NEC東金株式會(huì)社;東金電磁相容科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210068665.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
- 區(qū)域估計(jì)系統(tǒng)及區(qū)域估計(jì)方法
- 電波暗室
- 一種腦電波監(jiān)測(cè)儀及其智能監(jiān)測(cè)系統(tǒng)和方法
- 標(biāo)簽、認(rèn)證系統(tǒng)、電子鎖控制系統(tǒng)、自動(dòng)門(mén)控制系統(tǒng)、電梯控制系統(tǒng)
- 腦電波檢測(cè)裝置及設(shè)備
- 一種腦電波枕頭及其工作方法
- 信息處理裝置及信息處理裝置的控制方法
- 一種用于玄武巖全電熔窯爐的液位檢測(cè)設(shè)備
- 無(wú)線(xiàn)標(biāo)簽寫(xiě)入裝置、校準(zhǔn)方法及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 基于光學(xué)駐波的波長(zhǎng)測(cè)量方法





