[發明專利]一種制作單根納米線微電極的方法無效
| 申請號： | 201210068469.X | 申請日： | 2012-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN102621201A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 王業伍;顧林;方彥俊;沙健 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 杜軍 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 制作 納米 微電極 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?一種制作單根納米線微電極的方法，其特征在于該方法的具體步驟是：?
步驟(1).將納米線擴散在酒精中，超聲分散后將分散有納米材料的酒精滴加或旋涂到襯底表面，酒精揮發后，納米線即分散到襯底表面；
步驟(2).將金屬網置于襯底表面，納米線分布在襯底表面與金屬網之間，然后將不銹鋼網覆在金屬網上；襯底、金屬網和不銹鋼網組成電極制作構件；
所述的金屬網為100～5000目無碳膜支撐的裸金屬網；
所述的不銹鋼網的網孔是邊長為10～200微米的正方形微孔，微孔深度為10～1000微米，不銹鋼網的肋寬為5～50微米；
步驟(3).在電極制作構件上表面進行金屬鍍膜，金屬膜厚度控制為50～500納米；
步驟(4).依次取下不銹鋼網和金屬網，大量正方形的金屬膜方塊在襯底上呈矩陣分布，利用電子顯微鏡在襯底上搜索兩端分別在相鄰兩個金屬膜方塊下的納米線，將該相鄰兩個金屬膜方塊作為該納米線的兩個電極。
2.如權利要求1所述的一種制作單根納米線微電極的方法，其特征在于：步驟(3)中在電極制作構件上表面進行金屬鍍膜的方法采用磁控濺射方法、電子束蒸發方法或熱蒸發方法。
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