[發(fā)明專利]具有MOSFET和IGBT的電路布置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210068118.9
• 申請日: 2012-03-15
• 公開（公告）號: CN102684661A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G.德博伊;W.勒斯勒
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種電路，包括：

輸入端子和輸出端子；

至少一個FET，具有柵極端子和漏極-源極路徑，所述漏極-源極路徑耦合在所述輸入端子和所述輸出端子之間；

至少一個IGBT，具有柵極端子和集電極-發(fā)射極路徑，所述集電極-發(fā)射極路徑耦合在所述輸入端子和所述輸出端子之間；

限壓電路，耦合到所述至少一個IGBT的柵極端子并且被配置為當(dāng)跨越所述集電極-發(fā)射極路徑的電壓達(dá)到閾值電壓時將所述至少一個IGBT驅(qū)動到接通狀態(tài)；以及

控制電路，具有耦合到所述至少一個FET的柵極端子的第一驅(qū)動輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，進(jìn)一步包括：

電阻器，耦合在所述輸入端子和所述輸出端子之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其中所述電阻器是PTC電阻器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述至少一個FET具有電壓阻擋能力，并且其中所述閾值電壓在所述電壓阻擋能力以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述限壓電路包括：

至少一個限壓元件，連接在漏極端子和所述至少一個IGBT的柵極端子之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中所述限壓電路是齊納二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，其中多個齊納二極管串聯(lián)連接在所述漏極端子和所述至少一個IGBT的柵極端子之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述至少一個IGBT僅使所述限壓電路連接到其柵極端子。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述控制電路進(jìn)一步包括耦合到所述至少一個IGBT的柵極端子的第二驅(qū)動輸出。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，其中所述電路被配置為采取

接通狀態(tài)，其中所述控制電路生成所述第一驅(qū)動輸出處的第一驅(qū)動信號的接通電平以及第二驅(qū)動輸出處的第二驅(qū)動信號的接通電平，或者

斷開狀態(tài)，其中所述控制電路生成所述第一驅(qū)動輸出處的第一驅(qū)動信號的斷開電平以及第二驅(qū)動輸出處的第二驅(qū)動信號的斷開電平。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，其中在斷開狀態(tài)開始時所述控制電路被配置為同時生成第一和第二驅(qū)動信號的斷開電平。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，其中在斷開狀態(tài)開始時所述控制電路被配置為在第一驅(qū)動信號的斷開電平之后生成第二驅(qū)動信號的斷開電平。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述至少一個FET包括多個FET，它們的漏極-源極路徑并聯(lián)連接并且它們的柵極端子彼此連接。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述至少一個IGBT包括多個IGBT，它們的集電極-發(fā)射極路徑并聯(lián)連接并且它們的柵極端子彼此連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述至少一個FET被實施為MOSFET。