[發明專利]包括底座的半導體器件

有效

• 申請號: 201210068095.1
• 申請日: 2012-03-15
• 公開（公告）號: CN102683301B
• 公開（公告）日: 2017-11-24
• 發明（設計）人: A.克里斯特曼;P.瓊斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/34
• 分類號: H01L23/34;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/56
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王岳,盧江

1.一種半導體裝置，包括：

半導體芯片；

底座，耦接到所述半導體芯片，所述底座包括上部分和下部分，所述上部分具有與所述下部分的側壁相交的底表面；以及

冷卻元件，耦接到所述底座，所述冷卻元件具有與所述底座的上部分的底表面直接接觸的第一表面、與所述底座的下部分的側壁直接接觸的第二表面、以及與所述第一表面平行并且與所述底座的下部分的底表面對準的第三表面；

多個銷，從底座的表面延伸到冷卻元件的空腔中，并且與冷卻元件的第一部分的表面接觸；

其中所述冷卻元件包括用于使冷卻劑通過所述冷卻元件的入口和出口，并且所述入口和出口由所述冷卻元件的第三表面限定。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括：

密封劑，與所述底座和所述冷卻元件直接接觸。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述密封劑包括O形環。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述冷卻元件包括用于布置所述O形環的所述第一表面中的凹部。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中所述冷卻元件包括用于布置所述O形環的所述第二表面中的凹部。

6.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述密封劑包括硅膏和硅膠之一。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述密封劑包括襯墊。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述半導體芯片包括功率半導體芯片。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，進一步包括：

基板，將所述半導體芯片耦接到所述底座。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中所述基板包括金屬化陶瓷基板。

11.一種模塊，包括：

功率半導體芯片；

底座，耦接到所述功率半導體芯片；以及

冷卻元件，耦接到所述底座，所述冷卻元件包括用于使冷卻劑通過所述冷卻元件的入口和出口，所述入口和出口由所述冷卻元件的第一表面限定；

多個銷，從底座的表面延伸到冷卻元件的空腔中，并且與冷卻元件的第一部分的表面接觸；

其中所述底座的第一表面與所述冷卻元件的第一表面對準。

12.根據權利要求11所述的模塊，其中所述底座的第二表面與所述冷卻元件的第二表面直接接觸，所述冷卻元件的第二表面與所述冷卻元件的第一表面直接相對。

13.根據權利要求12所述的模塊，其中所述底座的第三表面從所述底座的第一表面延伸到所述底座的第二表面，所述底座的第三表面與所述冷卻元件的第三表面直接接觸。

14.根據權利要求11所述的模塊，進一步包括：

所述底座和所述冷卻元件之間的密封劑，所述密封劑被配置為防止所述底座和所述冷卻元件之間的冷卻劑的泄漏。

15.根據權利要求14所述的模塊，其中所述密封劑包括O形環、襯墊、硅膏和硅膠之一。

16.一種用于制造半導體裝置的方法，所述方法包括：

提供冷卻元件，所述冷卻元件包括入口、出口、所述入口和出口之間的空腔、以及通過所述冷卻元件到達所述空腔的開口，所述開口具有側壁；

使半導體芯片耦接到底座；以及

使所述底座耦接到所述冷卻元件，使得所述底座的第一部分延伸到所述開口中并且所述底座的第二部分在所述開口的側壁上延伸，從而使得所述底座的第一表面與所述冷卻元件的第一表面對準；

將多個銷從底座的表面延伸到冷卻元件的空腔中，以與冷卻元件的第一部分的表面接觸；

其中所述入口和出口由所述冷卻元件的第一表面限定。

17.根據權利要求16所述的方法，進一步包括：

在將所述底座耦接到所述冷卻元件之前，將密封劑布置在所述冷卻元件和所述底座中的一個上。

18.根據權利要求17所述的方法，其中布置所述密封劑包括在通過所述冷卻元件的所述開口周圍布置O形環、襯墊、硅膏和硅膠之一。

19.根據權利要求16所述的方法，包括將所述底座耦接到所述冷卻元件，使得從所述底座的第一部分延伸的銷延伸到所述冷卻元件的空腔中。