[發(fā)明專利]無(wú)極燈高頻發(fā)生電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210067997.3
• 申請(qǐng)日: 2012-03-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102625553A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳朝軍;文永益
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶極光電器設(shè)備有限公司
• 主分類號(hào): H05B41/36
• 分類號(hào): H05B41/36
• 代理公司: 重慶市前沿專利事務(wù)所 50211
• 代理人: 郭云

1.一種無(wú)極燈高頻發(fā)生電路，包括交流電源（1）、有源功率因數(shù)校正電路（2）、高頻脈沖發(fā)生器（3）和逆變器（4）；所述有源功率因數(shù)校正電路（2）的輸出端連接所述逆變器（4）的第一輸入端；所述高頻脈沖發(fā)生器（3）的輸出端連接所述逆變器（4）的第二輸入端；其特征在于：還包括過(guò)零觸發(fā)器（5）和阻抗匹配電路（6）；所述交流電源（1）的輸出端連接所述過(guò)零觸發(fā)器（5）的輸入端；所述過(guò)零觸發(fā)器（5）的第一輸出端連接第一整流橋堆（7）的交流輸入端；所述第一整流橋堆（7）的輸出端連接所述有源功率因數(shù)校正電路（2）的輸入端；所述阻抗匹配電路（6）的第一輸入端連接所述逆變器（4）的輸出端；所述阻抗匹配電路（6）的輸出端向負(fù)載供電；所述過(guò)零觸發(fā)器（5）的第二輸出端連接所述阻抗匹配電路（6）的第二輸入端；

所述過(guò)零觸發(fā)器（5）包括第一控制芯片（501）和雙向晶閘管（502）；所述雙向晶閘管（502）的第一陽(yáng)極和第二陽(yáng)極分別通過(guò)第一電阻（R1）和第二電阻（R2）與所述第一控制芯片（IC1）的信號(hào)輸出端連接；所述雙向晶閘管（502）的門極接入所述第二電阻（R2）與所述第一控制芯片（IC1）之間；所述過(guò)零觸發(fā)器（5）還包括第一壓敏電阻（RV1）；所述第一壓敏電阻（RV1）并聯(lián)接在所述雙向晶閘管（502）的第一陽(yáng)極和第二陽(yáng)極；所述第一控制芯片（IC1）的電源輸出端連接所述阻抗匹配電路（6）的第二輸入端。

2.如權(quán)利要求1所述的無(wú)極燈高頻發(fā)生電路，其特征是：所述高頻脈沖發(fā)生器（3）包括第二控制芯片（IC2）；所述第二控制芯片（IC2）的RT端通過(guò)串聯(lián)的第三電阻（R3）和第一電容（C1）接地，所述第二控制芯片（IC2）的RT端通過(guò)第四電阻（R4）接地；所述第二控制芯片（IC2）的VCC端通過(guò)并聯(lián)的第二電容（C2）和第三電容（C3）接地；所述第二控制芯片（IC2）的DGND端、LC端、PGND端均接地。

3.如權(quán)利要求1所述的無(wú)極燈高頻發(fā)生電路，其特征是：所述逆變器（4）包括第三控制芯片（IC3）；所述第三控制芯片(IC3)的V1A端和V1B端分別與所述第二控制芯片（IC2）的NDRV2端和NDRV1端連接；所述第三控制芯片的GND1端、GNDB端均接地；所述第三控制芯片（IC3）的VDDB端與所述第二控制芯片（IC2）的VCC端連接；所述第三控制芯片（IC3）的VDDB端通過(guò)第一二極管（D1）連接所述第三控制芯片（IC3）的VADJ端；所述第三控制芯片（IC3）的VDDB端連接第一二極管（D1）的正極；所述第一二極管（D1）的負(fù)極連接所述第三控制芯片（IC3）的VADJ端；所述第三控制芯片（IC3）的GNDA端連接所述阻抗匹配電路（6）；所述第三控制芯片的VOA端通過(guò)第五電阻（R5）連接第一N型MOS管（Q1）的柵極；所述第五電阻（R5）兩端并聯(lián)有第二二極管（D2）；所述第三控制芯片(IC3)的VOB端通過(guò)第六電阻（R6）連接第二N型MOS管（Q2）的柵極；所述第六電阻（R6）兩端并聯(lián)有第三二極管（D3）；所述第一N型MOS管（Q1）的漏極連接第四二極管（D4）的負(fù)極，所述第一N型MOS管（Q1）的源極連接第四二極管（D4）的正極；所述第二N型MOS管（Q2）的漏極連接第五二極管（D5）的負(fù)極，所述第二N型MOS管（Q2）的源極連接所述第五二極管（D5）的正極；所述第一N型MOS管（Q1）的源極連接所述第二N型MOS管（Q1）的漏極；所述第一N型MOS管（Q1）的源極連接所述第三控制芯片（IC3）的GNDA端；所述有源功率因數(shù)校正電路（2）的正極輸出端與所述第一N型MOS管（Q1）的漏極連接；所述有源功率因數(shù)校正電路（2）與所述第一N型MOS管（Q1）之間并聯(lián)有第四電容（C4）和第五電容（C5）；所述第四電容（C4）和第五電容（C5）的負(fù)極均接地。