[發明專利]復合式氮化鎵基半導體生長襯底及其制作方法有效
| 申請號： | 201210067966.8 | 申請日： | 2012-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN102593294A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 莊家銘;王振祖;黃惠葵;范慧麗 | 申請（專利權）人： | 安徽三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合 氮化 半導體 生長 襯底 及其 制作方法 | ||
1.復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其包含：
一基板；
一晶格緩沖層，形成于石英玻璃上，其由類鉆石薄膜構成；
一晶格轉換層，形成于晶格緩沖層，其晶格系數介于GaN與類鉆石薄膜之間。
2.根據權利要求1所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其特征在于：所述基板的材料為石英玻璃。
3.根據權利要求1所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其特征在于：所述基板為金屬基板。
4.根據權利要求3所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其特征在于：所述金屬基板選自碳化鎢基板、鎢基板、碳化硅或鋼材基板。
5.根據權利要求3所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其特征在于：還包括一種子層，其介于基板與晶格緩沖層之間。
6.根據權利要求3所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其特征在于：所述種子層的材料選自鉻、鈦或鎳。
7.根據權利要求1所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其特征在于：所述晶格緩沖層的材料選自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化鈦-DLC。
8.根據權利要求1所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其特征在于：所述晶格轉換層的材料為氮化物。
9.根據權利要求9所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底，其特征在于：所述晶格轉換層的材料選自氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鎵、氮化鎵銦、氮化銦或氮化鋁鎵銦。
10.復合式氮化鎵基半導體生長襯底的制作方法，其包括如下步驟：
提供一基板；
在所述基板上形成一類鉆石薄膜，作為晶格緩沖層；
在所述晶格緩沖層上形成一晶格轉換層，其晶格系數介于GaN與類鉆石薄膜之間，構成復合成氮化鎵生長基板。
11.根據權利要求10所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底的制作方法，其特征在于：所述類鉆石薄膜通過磁控濺鍍法、離子蒸鍍法、電弧離子蒸鍍法，或電漿輔助化學氣相沉積法形成于石英玻璃上。
12.根據權利要求8所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底的制作方法，其特征在于：所述晶格緩沖層的材料選自選自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化鈦-DLC。
13.根據權利要求8所述的復合式氮化鎵基半導體生長襯底的制作方法，其特征在于：所述晶格轉換層的材料選自氮化鋁、氮化鋁鎵、氮化鎵、氮化鎵銦、氮化銦或氮化鋁鎵銦。
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