[發明專利]發光器件有效
| 申請號: | 201210067566.7 | 申請日: | 2012-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN102810550A | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發明(設計)人: | 丁煥熙 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 張浴月;鄭小軍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 | ||
1.一種發光器件,包括:
導電襯底;
多個發光元件,被布置在所述導電襯底上,其中所述多個發光元件的每一個包括第一半導體層、第二半導體層以及位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的有源層;
保護層,被布置為覆蓋所述第一半導體層的一側和所述有源層的一側;以及
第一電極,用于將多于一個的所述發光元件的第二半導體層彼此連接,
其中所述保護層包括多個突出部,所述突出部從所述第一半導體層的該側和所述有源層的該側延伸到所述發光元件的每一個的內部。
2.根據權利要求1所述的發光器件,其中所述第一半導體層的該側和所述有源層的該側在每一側均具有第一凹槽,并且所述保護層具有放置在所述第一凹槽中的所述突出部。
3.根據權利要求1所述的發光器件,其中所述保護層被布置為進一步覆蓋所述第二半導體層的一側的一部分,
其中在所述第二半導體層的該側的該部分中具有第二凹槽,并且所述保護層的該部分延伸以填充所述第二凹槽。
4.根據權利要求1所述的發光器件,其中所述保護層包括:
第一子保護層,被布置在所述導電襯底的邊緣區域上,
第二子保護層,被布置在所述導電襯底上,其中所述第二子保護層覆蓋每一個發光元件的該側的一部分;以及
第三子保護層,被布置在所述導電襯底上且位于所述多個發光元件之間。
5.根據權利要求1所述的發光器件,其中所述導電襯底包括:
支撐襯底;
反射層,被布置在所述支撐襯底上;
接合層,被布置在所述支撐襯底與所述反射層之間;以及
歐姆層,被布置在所述反射層上,
其中所述保護層被布置在所述歐姆層上。
6.根據權利要求5所述的發光器件,其中所述保護層覆蓋所述歐姆層,并且所述保護層具有突出部,該突出部從所述歐姆層的一側插入到所述歐姆層的內部。
7.一種發光器件,包括:
發光結構,被限定為分成多個子發光區域,所述多個子發光區域的每一個包括第一半導體層、第二半導體層以及位于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的有源層;
保護層,被布置在所述多個子發光區域的每一個的所述發光結構的一側;
第一電極,將多于一個的所述子發光區域的第二半導體層彼此連接;以及
第二電極,位于所述第一半導體層下方,所述第二電極將所述多個子發光區域的每一個的第一半導體層連接在一起,
其中該發光結構的該側包括:
第一側,與所述發光結構的上側相鄰;
第二側,與所述發光結構的下側相鄰,其中所述第二側具有到所述第一側的臺階;以及
第三側,將所述第一側連接到所述第二側,
其中所述保護層覆蓋所述第二側和所述第三側。
8.根據權利要求7所述的發光器件,其中所述第一側、所述第三側、以及所述第二側的一部分為所述第二半導體層的一側,并且所述第二側的另一部分為所述有源層的一側和所述第一半導體層的一側。
9.根據權利要求7所述的發光器件,其中所述保護層具有與所述第一側齊平的外側。
10.根據權利要求7所述的發光器件,其中所述保護層覆蓋與所述第二側相鄰的所述發光結構的下側的邊緣。
11.根據權利要求1或7所述的發光器件,其中所述第一電極將相鄰的發光元件的所述第二半導體層彼此連接。
12.根據權利要求1或7所述的發光器件,其中所述第一電極包括:
第三電極,被布置在所述第二半導體層的邊緣區域上;以及
連接電極,將每個相鄰的發光元件的所述第三電極彼此連接。
13.根據權利要求12所述的發光器件,其中所述連接電極被布置在所述第一半導體層的該側并布置在所述保護層上。
14.根據權利要求12所述的發光器件,其中第三電極被布置在所述第二半導體層的該側處。
15.根據權利要求12所述的發光器件,其中所述第一電極還包括第四電極,將所述第三電極的一端連接至所述第三電極的另一端。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





