[發明專利]蝕刻方法、蝕刻裝置及計算機可讀存儲介質有效
| 申請號： | 201210067556.3 | 申請日： | 2012-03-14 |
| 公開（公告）號： | CN102683196A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 秋庭亞輝 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;C23F1/12 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 方法 裝置 計算機 可讀 存儲 介質 | ||
1.一種蝕刻方法，其特征在于，其是對包含硅氧化物膜及形成于該硅氧化物膜上的硅膜的多層結構體進行蝕刻的蝕刻方法，
對所述多層結構體中的所述硅膜及所述硅氧化物膜進行蝕刻時，
使用抗蝕膜或有機膜作為蝕刻的掩模，使用包含CH2F2氣體的蝕刻氣體作為蝕刻氣體，將所述多層結構體中的硅膜及所述硅氧化物膜一并蝕刻。
2.一種蝕刻方法，其特征在于，其是對包含硅氧化物膜、形成于該硅氧化物膜上的硅膜以及形成于該硅膜上的硅氮化物膜的多層結構體進行蝕刻的蝕刻方法，
對所述多層結構體中的所述硅氮化物膜、所述硅膜及所述硅氧化物膜進行蝕刻時，
使用抗蝕膜或有機膜作為蝕刻的掩模，使用包含CH2F2氣體的蝕刻氣體作為蝕刻氣體，將所述多層結構體中的硅氮化物膜、所述硅膜及所述硅氧化物膜一并蝕刻。
3.一種蝕刻方法，其特征在于，其是對包含第一硅氧化物膜、形成于該第一硅氧化物膜上的硅膜、形成于該硅膜上的硅氮化物膜及形成于該硅氮化物膜上的第二硅氧化物膜的多層結構體進行蝕刻的蝕刻方法，
對所述多層結構體中的所述第二硅氧化物膜、所述硅氮化物膜、所述硅膜及所述第一硅氧化物膜進行蝕刻時，
使用抗蝕膜或有機膜作為蝕刻的掩模，使用包含CH2F2氣體的蝕刻氣體作為蝕刻氣體，將所述多層結構體中的所述第二硅氧化物膜、所述硅氮化物膜、所述硅膜及所述第一硅氧化物膜一并蝕刻。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻氣體在所述CH2F2氣體中還包含N2氣體。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻氣體在所述CH2F2氣體中還包含作為稀釋氣體的Ar氣體。
6.一種蝕刻裝置，其特征在于，其是對包含硅氧化物膜及形成于該硅氧化物膜上的硅膜的多層結構體進行蝕刻的蝕刻裝置，
使用抗蝕膜或有機膜作為蝕刻的掩模對所述多層結構體中的、所述硅膜及所述硅氧化物膜進行蝕刻時，
向所述多層結構體供給包含CH2F2氣體的蝕刻氣體作為蝕刻氣體。
7.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，其存儲有在計算機上運行、控制蝕刻裝置的程序，
所述程序在執行時，使計算機控制所述蝕刻裝置，以進行權利要求1～5中任一項所述的蝕刻方法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
