[發明專利]肖特基勢壘二極管

有效

• 申請號: 201210067432.5
• 申請日: 2012-03-06
• 公開（公告）號: CN102683430A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 前山雄介;大澤良平;荒木克隆;渡部善之
• 申請（專利權）人: 新電元工業株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種肖特基勢壘二極管，其特征在于，具有：

由碳化硅構成的基板；

包含在所述基板內，由與該基板的第一面鄰接的n型半導體構成的第一半導體層；

與該第一半導體層肖特基接合的金屬層；

與該金屬層的周緣區域相接，向外側擴展的第一絕緣層；

沿該第一絕緣層和所述金屬層接觸的周緣區域，由在所述第一半導體層內形成的p型半導體構成的護圈層；

從該護圈層向所述基板的中心區域，在所述第一半導體層內，由在每個第1間隔形成的多個p型半導體構成的第二半導體層；

位于所述基板的第一面上，在所述護圈層和與該護圈層鄰接的所述第二半導體層之間形成的第二絕緣層；

位于所述基板的第一面上，在相互鄰接的所述第二半導體層之間形成的第三絕緣層。

2.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于：

其中，所述第二半導體層由P+型半導體區域和P-型半導體區域構成。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于：

其中，所述第一絕緣層、所述第二絕緣層及所述第三絕緣層，具有將與所述第一半導體層重合形成的均一擴展的絕緣體進行圖形化的結構。

4.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于：

其中，所述第一絕緣層，是由半導體氧化物構成。

5.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于：

其中，還具有位于所述第一面上、與所述第二半導體層接合的歐姆電極。

6.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于：

其中，所述第二絕緣層在平視下包圍所述第三絕緣層、所述第一絕緣層在平視下包圍所述第二絕緣層。

7.根據權利要求1所述的肖特基勢壘二極管，其特征在于：

其中，所述第一絕緣層覆蓋所述護圈層的外緣部分，所述金屬層與所述護圈層的內緣部分相接。