[發明專利]石墨烯薄膜增敏的D型光纖SPR傳感器及其制備方法無效
| 申請號： | 201210067372.7 | 申請日： | 2012-03-15 |
| 公開（公告）號： | CN102621104A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 吳宇;饒云江;姚佰承 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G01N21/55 | 分類號： | G01N21/55 |
| 代理公司： | 成都華典專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 楊保剛;徐豐 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 石墨 薄膜 光纖 spr 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.基于石墨烯薄膜增敏的D型光纖SPR傳感器，包括D型光纖，在D型光纖的拋光面具有銀膜層，其特征在于：在銀膜層表面具有石墨烯薄膜層。
2.根據權利要求1所述的基于石墨烯薄膜增敏的D型光纖SPR傳感器，其特征在于：所述石墨烯薄膜層的厚度為1～10石墨烯原子層。
3.根據權利要求2所述的基于石墨烯薄膜增敏的D型光纖SPR傳感器，其特征在于：所述銀膜層厚度為10～80nm。
4.一種基于石墨烯薄膜增敏的D型光纖SPR傳感器的制備方法，其特征在于：其包括如下步驟：
（1）制備D型光纖；并在D型光纖的拋光面制備銀膜層；
（2）在銀膜表面制備石墨烯薄膜層。
5.根據權利要求4所述的一種基于石墨烯薄膜增敏的D型光纖SPR傳感器，其特征在于：所述石墨烯薄膜層的厚度為1～10石墨烯原子層。
6.根據權利要求5所述的一種基于石墨烯薄膜曾敏的D型光纖SPR傳感器，其特征在于：所述銀膜層的厚度為10～80nm。
7.根據權利要求5所述的一種基于石墨烯薄膜曾敏的D型光纖SPR傳感器，其特征在于：所述石墨烯薄膜層通過化學氣相沉積法制備。
8.根據權利要求6所述的一種基于石墨烯薄膜曾敏的D型光纖SPR傳感器，其特征在于：所述銀膜層通過化學沉積還原法制備。
9.根據權利要求4～8任一項所述的一種基于石墨烯薄膜曾敏的D型光纖SPR傳感器，其特征在于：所述制備D型光纖的方法為：將多模或大芯徑光纖側面的一段涂覆層去掉，然后在一部分包層中挖一個D型槽，D型槽深度與光纖的半徑長度相等，最后將這個槽拋光并確定表面光滑。
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