[發(fā)明專利]一種復(fù)合介電薄膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210067067.8
• 申請(qǐng)日: 2012-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102585268A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱紅;林爽;匡錫文;王芳輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京化工大學(xué)
• 主分類號(hào): C08J5/18
• 分類號(hào): C08J5/18;C08L27/12;C08L27/16;C08K3/22
• 代理公司: 北京康盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11331
• 代理人: 張良

1.一種復(fù)合介電薄膜的方法，包括如下步驟：1、通過(guò)回流法由銳鈦礦、金紅石兩種晶型組成制備不同晶型比例混晶TiO₂，混晶TiO₂不同的晶型比例可以由反應(yīng)時(shí)間控制，所述回流時(shí)間為6-18h；將步驟1制備的混晶TiO₂、含氟聚合物和溶劑N，N-二甲基甲酰胺(DMF)混合后，超聲攪拌分散均勻，形成穩(wěn)定的溶膠；將步驟2制備的溶膠在模具上80±1℃流延成膜，干燥18±1h，再經(jīng)過(guò)自然冷卻、120±1℃退火8±1h，去除殘留溶劑，即得到厚度為110-150μm的混合晶型無(wú)機(jī)納米填料/聚合物基復(fù)合介電薄膜。

2.一種如權(quán)利1所述復(fù)合介電薄膜的方法，其特征在于所述復(fù)合介電薄膜中所述復(fù)合介電薄膜中混晶納米TiO₂的質(zhì)量比例為5％-40％；含氟聚合物的質(zhì)量比例為60％-95％。

3.一種如權(quán)利1所述復(fù)合介電薄膜的方法，其特征在于所述混晶TiO₂中銳鈦礦、金紅石兩種晶型摩爾百分比組成為：銳鈦礦36％-45％；金紅石為55％-64％。

4.一種如權(quán)利1或2所述復(fù)合介電薄膜的方法，其特征在于所述混晶TiO₂為40％，含氟聚合物為60％。

5.一種如權(quán)利1或3所述復(fù)合介電薄膜的方法，其特征在于所述所述混晶TiO₂組成中銳鈦礦為37％，金紅石為63％。

6.一種如權(quán)利1或2所述復(fù)合介電薄膜的方法，其特征在于所述含氟聚合物為偏氟乙烯-三氟乙烯共聚物、偏氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯共聚物、偏氟乙烯-三氟乙烯-三氟氯乙烯共聚物中的一種。

7.一種如權(quán)利1所述復(fù)合介電薄膜的方法，其特征在于所述混晶TiO₂和含氟聚合物總質(zhì)量與DMF的質(zhì)量比為1∶7-10。