[發(fā)明專利]一種多晶硅選擇性發(fā)射極太陽能電池的擴散方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210066713.9
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102593262A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 張鳳;張為國;龍維緒;王栩生;章靈軍
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯（中國）投資有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B31/08
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 陶海鋒;陸金星

1.一種多晶硅選擇性發(fā)射極太陽能電池的擴散方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)?將生長摻雜劑的硅片放于擴散爐中，升溫至750~800℃，爐內環(huán)境為N₂，N₂流量10~30?slm；

(2)?待溫度穩(wěn)定后，使爐內各溫區(qū)的溫度均升至850~900℃，升溫的同時通入0.2~2?slm攜三氯乙烷的N₂、1~5?slm?O₂和10~30?slm?N₂氣體，時間為30~50?min，以實現(xiàn)重摻，重摻方阻控制在30~60Ω/□；

(3)?將各溫區(qū)降至擴散溫度820~840℃，通入攜POCl₃的N₂進行擴散，攜POCl₃的N₂的流量為0.5~2?slm，O₂流量為0.5~1?slm；N₂流量為10~30?slm，擴散時間為10~30?min；

(4)?將各溫區(qū)的溫度降至780~800℃，停止通入攜POCl₃的N₂，推進時間為10~25?min，以實現(xiàn)淺摻，淺摻方阻控制在70~120Ω/□；N₂流量為10~30?slm，O₂流量為0.5~1?slm；

(5)?將硅片降溫，取出硅片，完成擴散過程。

2.根據(jù)權利要求1所述的多晶硅選擇性發(fā)射極太陽能電池的擴散方法，其特征在于：所述步驟(1)中生長摻雜劑的硅片是指在硅片上印刷或涂敷含磷或含硼的摻雜劑的硅片。