[發(fā)明專利]一種無損銅后道可靠性測試工藝無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210066522.2 | 申請日: | 2012-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN102623367A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 曹永峰 | 申請(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 無損 銅后道 可靠性 測試 工藝 | ||
1.一種無損銅后道可靠性測試工藝,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1:根據(jù)工藝需求進(jìn)行可靠性測試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì);
步驟S2:根據(jù)工藝需求進(jìn)行測試器件的制備;
步驟S3:對所述測試器件進(jìn)行可靠性測試,并同時(shí)采用1/f噪聲系統(tǒng)采集所述測試器件的噪聲信息數(shù)據(jù);
步驟S4:建立測試器件可靠性壽命與測試器件噪聲的函數(shù)關(guān)系;
步驟S5:通過采用1/f噪聲系統(tǒng)采集后道工藝中器件的噪聲信息數(shù)據(jù),并利用測試器件可靠性壽命與測試器件噪聲的函數(shù)關(guān)系對后道工藝的可靠性進(jìn)行監(jiān)控。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無損銅后道可靠性測試工藝,其特征在于,所述步驟S1中的可靠性測試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為常規(guī)的后道工藝過程的可靠性性測試結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的無損銅后道可靠性測試工藝,其特征在于,所述步驟S2中的測試器件為測試晶圓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的無損銅后道可靠性測試工藝,其特征在于,所述步驟S3中的對所述測試器件進(jìn)行常規(guī)的可靠性測試,且同時(shí)采用常規(guī)的1/f噪聲系統(tǒng)采集所述測試器件的噪聲信息數(shù)據(jù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的無損銅后道可靠性測試工藝,其特征在于,對所述測試器件進(jìn)行常規(guī)的可靠性測試,既采用測試器件實(shí)際工作的環(huán)境條件進(jìn)行可靠性測試,以實(shí)現(xiàn)無損的后道可靠性評估。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





