[發(fā)明專(zhuān)利]一種大功率LED的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210066482.1
• 申請(qǐng)日: 2012-03-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102593286A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊新民;王漢華;項(xiàng)藝;靳彩霞;董志江
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 武漢迪源光電科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

1.一種大功率LED的制備方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

a)?通過(guò)刻蝕技術(shù)在襯底上形成具有平面部分的圖形結(jié)構(gòu);

b)?在襯底上生長(zhǎng)外延;

c)?在外延層上依次制備P型電極極和N型電極;

d)?將襯底減薄;

e)?在襯底背面鍍上增反層和金屬層;

f)?在襯底正面進(jìn)行劃片，裂片及擴(kuò)張，形成多個(gè)LED芯片單元。

2.根據(jù)權(quán)利要求?1所述的方法，其特征在于，所說(shuō)步驟a)中的襯底是藍(lán)寶石、SiC或Si。

3.根據(jù)權(quán)利要求?1所述的方法，其特征在于，在所述步驟a)中，刻蝕襯底時(shí)，在切割道區(qū)域不形成圖形，為平面結(jié)構(gòu)；其他區(qū)域形成圖形，為非平面結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，圖形襯底的非平面結(jié)構(gòu)為周期性或非周期性排列的棱柱、圓錐、圓柱或圓臺(tái)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟e)中，背面反射層為高折射率材料和低折射率材料的交替疊加，背面金屬層為Ag、Al、Cr、Pt、Au中的任意一種或幾種金屬的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求?1?所述的方法，其特征在于，所述步驟f)中，所述正面劃片的具體方式是：激光透過(guò)外延層在襯底內(nèi)部切割。

7.一種大功率LED的制備方法，其特征在于，該方法包括下列步驟：

a)?在襯底上形成缺陷阻擋層，通過(guò)刻蝕技術(shù)去除部分圖形;

b)?在所述的缺陷阻擋層上生長(zhǎng)外延;

c)?在外延層上依次制備P型電極極和N型電極;

d)?將襯底減薄;

e)?在襯底背面鍍上增反層和金屬層;

f)?在襯底正面進(jìn)行劃片，裂片及擴(kuò)張，形成多個(gè)LED芯片單元。

8.根據(jù)權(quán)利要求?7所述的方法，其特征在于，所說(shuō)步驟a)中的襯底是藍(lán)寶石、SiC或Si。

9.根據(jù)權(quán)利要求?7所述的方法，其特征在于，所說(shuō)步驟a)中缺陷阻擋層的材料為高反射結(jié)構(gòu)，反射波長(zhǎng)在364nm－1064nm波段范圍內(nèi)的任一波長(zhǎng)。

10.?根據(jù)權(quán)利要求?7所述的方法，其特征在于，在所述步驟a)中，刻蝕缺陷阻擋層時(shí)，去除切割道區(qū)域的圖形，形成平面結(jié)構(gòu)，切割道以外的區(qū)域保持圖形結(jié)構(gòu)，為非平面結(jié)構(gòu)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的非平面結(jié)構(gòu)，其特征在于，缺陷阻擋層的非平面結(jié)構(gòu)為周期性或非周期性排列的棱柱、圓錐、圓柱或圓臺(tái)。

12.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述步驟e)中，襯底背面的反射層為高折射率材料和低折射率材料的交替疊加，金屬層為Ag、Al、Cr、Pt、Au中的任意一種或幾種金屬的組合。

13.?根據(jù)權(quán)利要求?7?所述的方法，其特征在于，所述步驟f)中，所述正面劃片的具體方式是：激光透過(guò)外延層在襯底內(nèi)部切割。