[發(fā)明專利]一種環(huán)形器,及環(huán)形器的制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210066471.3 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102760925A | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊飛;張宗民;張樂 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 聚信科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01P1/38 | 分類號(hào): | H01P1/38;H01P11/00 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 唐華明 |
| 地址: | 523808 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 環(huán)形 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種環(huán)形器,及環(huán)形器的制造方法。?
背景技術(shù)
隨著無線通信技術(shù)的發(fā)展,基站向著小型化、高發(fā)射功率的方向發(fā)展;基站對(duì)功耗系統(tǒng)的設(shè)計(jì)要求越來越高,其中環(huán)形器(isolator)以及隔離器(circulator)是其中的關(guān)鍵裝置。隔離器是在環(huán)形器的隔離端串接功率吸收器件或者功率衰減器件的裝置。環(huán)形器或隔離器至少有3個(gè)作用:a、改善駐波;b、防止反射信號(hào)燒毀功放;c、在多爾蒂(Doherty)功放系統(tǒng)中保證天饋反饋信號(hào)與數(shù)字預(yù)矯正(Digital?predistortion,DPD)的隔離度,從而保證其DPD性能。由于基站中的反射信號(hào)經(jīng)過雙工器、環(huán)形器、耦合器后會(huì)干擾到DPD信號(hào),進(jìn)而影響系統(tǒng)的DPD性能,因此要求環(huán)形器具有足夠的隔離度,例如大于40dB的隔離度。?
目前單節(jié)的環(huán)形器能夠達(dá)到的隔離度性能有限。目前為了進(jìn)一步達(dá)到較高的隔離度采用的解決方案一般是,采用雙節(jié)的環(huán)形器,從而提高隔離度以滿足設(shè)計(jì)要求。這樣容易實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)需要的隔離度指標(biāo),在實(shí)現(xiàn)上最簡單,從需求到設(shè)計(jì)的周期最短。但是由于該方案成本高,單個(gè)環(huán)形器成本的3倍左右致使該技術(shù)難以普及,另外占板面積大,該方案是單個(gè)環(huán)形器面積的近3倍,無法達(dá)到小型化的需求。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種環(huán)形器,及環(huán)形器的制造方法,使高隔離度的環(huán)形器實(shí)現(xiàn)小型化。?
一種環(huán)形器,包括:?
蓋子、永磁體、軟磁體、底座,以及兩個(gè)或兩個(gè)以上的中心導(dǎo)體;?
各中心導(dǎo)體的輸出端與其相鄰中心導(dǎo)體的輸入端順次以可導(dǎo)電方式連接;?
所述兩個(gè)或兩個(gè)以上的中心導(dǎo)體呈層疊式排列,所述蓋子位于層疊式結(jié)構(gòu)的最上層,所述底座位于層疊式結(jié)構(gòu)的最下層;?
各中心導(dǎo)體之間設(shè)置有至少一個(gè)軟磁體,所述蓋子與其相鄰的中心導(dǎo)體之間設(shè)置有至少一個(gè)軟磁體,所述底座與其相鄰的中心導(dǎo)體之間設(shè)置有至少一個(gè)軟磁體;?
所述環(huán)形器至少包括一個(gè)永磁體,永磁體位于蓋子和底座之間,并且與中心導(dǎo)體不直接相鄰。?
一種環(huán)形器的制造方法,包括:?
制造蓋子、永磁體、軟磁體、底座,以及兩個(gè)或兩個(gè)以上的中心導(dǎo)體;?
將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上的中心導(dǎo)體呈層疊式排列;?
將所述蓋子置于層疊式結(jié)構(gòu)的最上層,將底座置于層疊式結(jié)構(gòu)的最下層;?
在各中心導(dǎo)體之間放置至少一個(gè)軟磁體,在所述蓋子與其相鄰的中心導(dǎo)體之間放置至少一個(gè)軟磁體,在所述底座與其相鄰的中心導(dǎo)體之間放置至少一個(gè)軟磁體;?
將至少一個(gè)永磁體置于蓋子和底座之間,并且永磁體位置與中心導(dǎo)體不直接相鄰;?
將各中心導(dǎo)體的輸出端與其相鄰中心導(dǎo)體的輸入端順次以可導(dǎo)電方式連接。?
一種環(huán)形器,包括:兩個(gè)或兩個(gè)以上的子環(huán)形器,?
所述兩個(gè)或兩個(gè)以上的子環(huán)形器呈層疊式排列;?
所述兩個(gè)或兩個(gè)以上的子環(huán)形器采用一個(gè)外殼封裝。?
一種環(huán)形器的制造方法,包括:制作兩個(gè)或兩個(gè)以上的子環(huán)形器,還包括:?
將所述兩個(gè)或兩個(gè)以上的子環(huán)形器呈層疊式排列;?
采用一個(gè)外殼封裝所述兩個(gè)或兩個(gè)以上的子環(huán)形器。?
從以上技術(shù)方案可以看出,本發(fā)明實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):通過將中心導(dǎo)體的輸出端與其相鄰中心導(dǎo)體的輸入端順次以可導(dǎo)電方式連接,再通過蓋子、永磁體、軟磁體、底座在一個(gè)環(huán)形器中實(shí)現(xiàn)了多個(gè)子環(huán)形器的級(jí)聯(lián),可以提升環(huán)形器的隔離度,相比于雙節(jié)的環(huán)形器占板面積更小,從而實(shí)現(xiàn)了環(huán)形器?的小型化。?
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡要介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。?
圖1為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖2為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖3為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖4為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖5為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖6為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖7為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖8為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
圖9為本發(fā)明實(shí)施例環(huán)形器層疊式結(jié)構(gòu)示意圖;?
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