[發明專利]用于運行真空涂層設備的方法

無效

• 申請號: 201210066428.7
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102683481A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: C.瓦奇坦多夫
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C23C16/44
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 汲長志;楊國治

1.用于運行真空涂層設備、尤其是用于制造薄層太陽能電池的方法，其中，在使用清潔氣體完成涂層腔室清潔步驟之后并且在產品制造步驟之前實施用于將擴散阻礙層（15）涂布到涂層腔室（11）的壁上的涂層分離步驟。

2.按權利要求1所述的方法，

其中，在所述涂層腔室清潔步驟中使用含氟的氣體作為清潔氣體。

3.按權利要求1或2所述的方法，

其中，在所述涂層分離步驟中涂布具有硅、氧化硅和/或碳化硅和/或氮化硅的擴散阻礙層（15）。

4.按權利要求3所述的方法，

其中，在所述涂層分離步驟中涂布非結晶的或者微晶的或者具有過渡相的硅。

5.按權利要求3所述的方法，

其中，在所述涂層分離步驟中涂布具有非結晶的碳化硅的層（15）。

6.按上述權利要求中任一項所述的方法，

其中，取決于層材料以及分離溫度如此調整所述擴散阻礙層（15）的層厚度，從而使得所述擴散阻礙層在真空涂層設備的按規定的運行中穩定地完全附著在所述涂層腔室（11）的壁上。

7.按權利要求6所述的方法，

其中，將所述擴散阻礙層（15）的層厚度調整到5nm與500nm之間、尤其是50nm與300nm之間的范圍內的一個值。

8.按上述權利要求中任一項所述的方法，

其中，在涂層分離步驟之后的產品制造步驟具有薄層太陽能電池的n摻雜（2：5）的或者p摻雜（4：8）的或者本征（3：7）的硅層的分離過程。