[發明專利]用于可釋放地容納半導體芯片的器件有效
| 申請號: | 201210066400.3 | 申請日: | 2012-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN102680749A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發明(設計)人: | P.奧西米茨 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/04 | 分類號: | G01R1/04 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;盧江 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 釋放 容納 半導體 芯片 器件 | ||
1.一種用于可釋放地容納單片化半導體芯片的器件,所述半導體芯片包括第一主表面和與第一主表面相對的第二主表面,所述器件包括:
支持結構;
設置在所述支持結構上的至少一個彈性元件;
電接觸元件,設置在所述至少一個彈性元件上并且被適配成接觸所述半導體芯片的第一主表面;以及
被適配成設置在所述半導體芯片的第二主表面上方的箔片。
2.權利要求1的器件,其中,所述箔片被適配成可釋放地附著到所述支持結構。
3.權利要求1的器件,其中,所述箔片被附著到框架,并且所述框架被適配成可釋放地附著到所述支持結構。
4.權利要求1的器件,其中,所述電接觸元件被設置成對應于設置在所述半導體芯片的第一主表面上的接觸襯墊。
5.權利要求1的器件,其中,所述至少一個彈性元件具有閉合曲線的形狀。
6.權利要求5的器件,其中,第一通道延伸穿過所述支持結構,所述第一通道連接到所述支持結構中的第一開口,所述第一開口位于所述至少一個彈性元件的閉合曲線內。
7.權利要求5的器件,其中,第二通道延伸穿過所述支持結構,所述第二通道連接到所述支持結構中的第二開口,所述第二開口位于所述至少一個彈性元件的閉合曲線之外。
8.權利要求1的器件,還包括設置在所述支持結構上的彈性壁面,所述彈性壁面具有閉合曲線的形狀并且圍繞所述至少一個彈性元件。
9.權利要求8的器件,其中,所述支持結構中的第二開口位于所述彈性壁面的閉合曲線內。
10.權利要求8的器件,其中,第三通道延伸穿過所述支持結構,所述第三通道連接到所述支持結構中的第三開口,所述第三開口位于所述彈性壁面的閉合曲線之外。
11.權利要求1的器件,還包括被適配成直接設置在所述半導體芯片的第二主表面上方的平板。
12.權利要求11的器件,還包括被適配成直接設置在所述箔片上方的另外平板。
13.權利要求1的器件,其中,所述箔片是柔性的。
14.權利要求1的器件,其中,所述箔片是剛性的并且具有預先定形的凹陷。
15.權利要求1的器件,其中,所述箔片具有開口。
16.權利要求1的器件,還包括被適配成設置在所述半導體芯片的第二主表面上方的Peltier元件。
17.權利要求1的器件,還包括被適配成設置在所述半導體芯片的第二主表面上方的襯墊,所述襯墊具有可調節體積。
18.一種用于可釋放地容納單片化半導體芯片的器件,所述半導體芯片包括第一主表面和與第一主表面相對的第二主表面,所述器件包括:
支持結構;
設置在所述支持結構上的至少一個彈性元件;
電接觸元件,設置在所述至少一個彈性元件上并且被適配成接觸所述半導體芯片的第一主表面;
被適配成設置在所述半導體芯片的第二主表面上方的彈性箔片;以及
延伸穿過所述支持結構并且被適配成連接到泵以便下拉所述箔片的通道。
19.一種用于測試單片化半導體芯片的方法,所述方法包括:
將單片化半導體芯片安裝在彈性元件上,其中在所述彈性元件上設置電接觸元件;
將箔片設置在所述半導體芯片上方;以及
測試所述半導體芯片。
20.權利要求19的方法,其中,
所述半導體芯片包括第一主表面和與第一主表面相對的第二主表面,其中在第一主表面上設置芯片接觸元件;并且
所述半導體芯片被安裝在所述彈性元件上,其中第一主表面面對所述彈性元件。
21.權利要求19的方法,還包括:生成第一低壓以便把所述半導體芯片固定就位。
22.權利要求21的方法,還包括:生成第二低壓以便下拉所述箔片。
23.權利要求19的方法,還包括:將平板放置在所述半導體芯片上方。
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