[發明專利]一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法

有效

• 申請號: 201210066386.7
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102583233A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 張海霞;張曉升;尼古拉斯·皮特;朱福運;褚世敢
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: B81C3/00
• 分類號: B81C3/00
• 代理公司: 北京市商泰律師事務所 11255
• 代理人: 毛燕生

1.一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，包括如下步驟：

步驟1：將聚二甲基硅氧烷聚合物本體與聚合物引發劑按照一定的質量比，混合均勻形成聚二甲基硅氧烷預聚體；

步驟2：通過壓印或鑄造的方法，控制溫度和時間，將模板表面的納米森林結構圖形轉移至聚二甲基硅氧烷表面，形成具有密集納米陣列結構表面的聚二甲基硅氧烷薄膜；

步驟3：控制深反應離子刻蝕設備的工藝參數，利用不同氣體組合，對具有納米陣列結構表面的聚二甲基硅氧烷薄膜進行物理和化學處理。

2.根據權利要求1所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟1中所述聚二甲基硅氧烷聚合物本體，其成分為二甲基-甲基乙烯基硅氧烷；步驟1中所述聚二甲基硅氧烷聚合物引發劑，其成分為二甲基-甲基氫硅氧烷。

3.根據權利要求1或2所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟1中所述聚二甲基硅氧烷聚合物本體與聚合物引發劑混合質量比為5∶1～20∶1。

4.根據權利要求1或2所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟2中所述模板表面的納米森林結構為柱狀或椎體狀或篩孔狀，結構單體深寬比為1∶1～20∶1，高度為10nm～10μm，密度為10～200個/μm²。

5.根據權利要求1或2所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟2中所述溫度為50～100℃，時間為15分鐘～2小時。

6.根據權利要求1或2所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟2中所述密集納米陣列結構為柱狀或椎體狀或篩孔狀，結構單體深寬比為1∶1～10∶1，高度為10nm～1μm，密度為10～100個/μm²。

7.根據權利要求1或2所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟3中所述深反應離子刻蝕設備的工藝參數包括，平板功率為0W，線圈功率為900～1200W，壓強為1×10^-6Pa～0.1Pa，氣體流量為100sccm。

8.根據權利要求1或2所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟3中所述不同氣體組合包括，依次通入的SF₆和O₂，時間依次為3～8分鐘和8～12分鐘。

9.根據權利要求1或2所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟3中所述不同氣體組合包括，依次通入的SF₆和CHF₃，時間依次為3～8分鐘和8～12分鐘。

10.根據權利要求1或2所述的一種基于納米森林模板的超親水聚二甲基硅氧烷薄膜制備方法，其特征在于：步驟3中所述不同氣體組合包括，依次通入的SF₆、O₂和CHF₃，時間依次為3～8分鐘、8～12分鐘和8～12分鐘。