[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體處理設(shè)備及其使用方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210066329.9
• 申請(qǐng)日: 2012-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN102903659A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聚日（蘇州）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/687
• 分類號(hào): H01L21/687;H01L21/67
• 代理公司: 北京漢昊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370
• 代理人: 朱海波

1.一種晶圓蓋，其中：

所述晶圓蓋(100)包括底面、以及與該底面相連接且環(huán)繞該底面的側(cè)壁，該側(cè)壁和底面之間的空間形成凹槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓蓋，其中：

所述晶圓蓋(100)的側(cè)壁與底面形成兩個(gè)凹槽，該兩個(gè)凹槽分別位于該底面的兩側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓蓋，其中，所述凹槽的形狀為圓形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓蓋，其中，所述晶圓蓋(100)直徑的范圍為100mm-450mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓蓋，其中，所述晶圓蓋(100)的厚度范圍為0.1mm-5mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓蓋，其中：

所述晶圓蓋(100)的材料包括氧化硅、單晶Si、單晶Ge、單晶SiGe、多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、非晶Si、非晶Ge、非晶SiGe、III-V或II-VI族化合物半導(dǎo)體或其組合；或者

所述晶圓蓋(100)的材料包括不銹鋼、銅、以及表面鍍有氧化硅、氮化硅的不銹鋼和銅中的一種或其任意組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓蓋，其中，所述側(cè)壁的上表面為粗糙結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1、2或7所述的晶圓蓋，其中，在所述側(cè)壁上存在貫通該側(cè)壁、且與所述凹槽相連通的孔(104)。

9.一種處理容器，其中：

在所述處理容器腔內(nèi)(201)的底部具有一個(gè)或者多個(gè)第一溝槽(202)，該一個(gè)或者多個(gè)第一溝槽(202)均具兩個(gè)側(cè)壁，其特征在于：

在所述兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)。?

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理容器，其中，與所述第一溝槽(202)延伸方向相垂直的截面為倒置的梯形或三角形。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理容器，其中，在所述處理容器腔內(nèi)(201)的頂部設(shè)置有一個(gè)或者多個(gè)隔板(203)。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的處理容器，其中，在每個(gè)所述第一溝槽(202)具有一個(gè)底部，并且在所述溝槽的底部設(shè)置有一個(gè)第一矩形溝槽(204)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的處理容器，其中，所述第一矩形溝槽(204)的寬度與晶片蓋的厚度一致。

14.根據(jù)權(quán)利要求9或12所述的處理容器，其中：

所述第一溝槽(202)或所述第一矩形溝槽(204)具有一個(gè)底部；

所述處理容器(200)的底部設(shè)置有進(jìn)氣孔(205)，該進(jìn)氣孔(205)與所述第一溝槽(202)或所述第一矩形溝槽(204)的底部相連通。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的處理容器，其中，所述處理容器中放置有權(quán)利要求8中所述的晶圓蓋，所述晶圓蓋側(cè)壁上的孔(104)與所述處理容器(200)的底部的進(jìn)氣孔(205)相連通。

16.一種配重，該配重用于夾持晶圓和晶圓蓋，其中：

所述配重(300)具有至少一個(gè)第二溝槽(301)，該第二溝槽(301)具兩個(gè)側(cè)壁，在所述兩個(gè)側(cè)壁中，至少有一個(gè)側(cè)壁呈傾斜狀態(tài)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的配重，其中，與所述第二溝槽(301)延伸方向相垂直的截面為倒置的梯形或三角形。

18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的配重，其中，在每個(gè)所述第二溝槽(301)具有一個(gè)底部，并且在所述第二溝槽(301)的底部設(shè)置有一個(gè)第二矩形溝槽(302)。

19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的配重，其中，所述配重(300)的材料為石英。

20.一種半導(dǎo)體處理設(shè)備，該半導(dǎo)體處理設(shè)備包括：

權(quán)利要求1-8中的任何一項(xiàng)所述的晶圓蓋(100)；

權(quán)利要求9-15中的任何一項(xiàng)所述的處理容器(200)；以及?

權(quán)利要求16-19中的任何一項(xiàng)所述的配重(300)。