[發(fā)明專利]一種工頻電源變壓器低功耗待機電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210066315.7
• 申請日: 2012-03-14
• 公開（公告）號: CN102545576A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭祖金;聶明平
• 申請（專利權(quán)）人: 聶明平
• 主分類號: H02M1/36
• 分類號: H02M1/36
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 44248
• 代理人: 胡吉科;王雨時

1.一種工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述電路包括：阻抗模塊、開關(guān)控制模塊以及光電隔離模塊，

所述阻抗模塊與所述開關(guān)控制模塊相連，所述開關(guān)控制模塊還與所述光電隔離模塊相連，在連接變壓器時，所述開關(guān)控制模塊連接工頻電源變壓器的初級，所述光電隔離模塊連接工頻電源變壓器的次級。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述阻抗模塊為電容C1，所述電容C1一端與外部的市電輸入相連，另一端與開關(guān)控制模塊相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述開關(guān)控制模塊包括：交流開關(guān)，與所述交流開關(guān)相連的微處理器，所述微處理器還分別與過零信號檢測電路、整流穩(wěn)壓濾波電路相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述交流開關(guān)包括整流橋UR1，N-MOS場效應(yīng)管，所述整流橋UR1分別與阻抗模塊、N-MOS場效應(yīng)管相連。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述N-MOS場效應(yīng)管與微處理器集成為主控芯片IC1，所述微處理器為8位單片機。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述交流開關(guān)為可控硅或者三極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述整流穩(wěn)壓濾波電路包括整流二極管D1，所述整流二極管D1的負極與電阻R1的一端相連，所述電阻R1的另一端連接穩(wěn)壓二極管ZD1的負極，電容C2，所述穩(wěn)壓二極管ZD1的正極、電容C2的另一端接地。

8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述過零信號檢測電路包括穩(wěn)壓二極管ZD2以及連接于ZD2正極的限流電阻R2。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工頻電源變壓器低功耗待機電路，其特征在于，所述光電隔離模塊包括光耦I(lǐng)C2，所述光耦I(lǐng)C2的引腳2連接二極管ZD3的正極，所述光耦I(lǐng)C2的引腳1連接二極管ZD3的負極、電阻R3，所述光耦I(lǐng)C2的引腳3、4接開關(guān)控制模塊。