[發(fā)明專利]鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210066129.3
• 申請(qǐng)日: 2012-03-14
• 公開（公告）號(hào): CN102560489A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬英杰;崔新芳;張曉紅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 哈爾濱工程大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C28/02
• 分類號(hào): C23C28/02;C25D11/10;C25D11/18;C23C14/08;C23C14/30
• 代理公司: 暫無信息
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1.一種鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：以鋁作為原料，加工成傳感器基體，對(duì)傳感器基體進(jìn)行打磨、電化學(xué)拋光預(yù)處理，置入摻有稀土元素添加劑的電解質(zhì)水溶液中進(jìn)行絕緣陽極氧化，在含稀土元素封口液中高溫封孔處理30min后自然干燥，封孔后的氧化膜表面進(jìn)行機(jī)械拋光處理，采用電子束蒸鍍的方法制備一層Al₂O₃膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：所述電化學(xué)拋光，拋光液為體積比為高氯酸∶無水乙醇＝1∶4的混合液，恒壓18V，常溫反應(yīng)2-5min，拋光后吹干。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：所述絕緣陽極氧化，電流密度0.5A/dm²-1.5A/dm²，電解液組成為草酸0.1mol/L-0.3mol/L、冰乙酸0.1mol/L-0.5mol/L、硝酸亞鈰0.01mol/L-0.1mol/L、氧化鑭0.01mol/L-0.1mol/L，常溫反應(yīng)，時(shí)間為20-40min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：所述高溫封孔處理，封孔液為25g/L的Ce(NO₃)₃溶液，pH值6-7，封孔溫度98℃，封孔時(shí)間30min。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：所述高溫封孔處理，封孔液為25g/L的Ce(NO₃)₃溶液，pH值6-7，封孔溫度98℃，封孔時(shí)間30min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：所述電子束蒸鍍，采用直徑為2-3mm的Al₂O₃顆粒，電壓：10KV，束流：100mA，真空度：3.3×10^-3Pa，基板溫度300℃，蒸鍍時(shí)間：2-5min。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：所述電子束蒸鍍，采用直徑為2-3mm的Al₂O₃顆粒，電壓：10KV，束流：100mA，真空度：3.3×10^-3Pa，基板溫度300℃，蒸鍍時(shí)間：2-5min。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：所述電子束蒸鍍，采用直徑為2-3mm的Al₂O₃顆粒，電壓：10KV，束流：100mA，真空度：3.3×10^-3Pa，基板溫度300℃，蒸鍍時(shí)間：2-5min。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鋁基薄膜溫度傳感器的耐高溫復(fù)合介質(zhì)隔離方法，其特征是：所述電子束蒸鍍，采用直徑為2-3mm的Al₂O₃顆粒，電壓：10KV，束流：100mA，真空度：3.3×10^-3Pa，基板溫度300℃，蒸鍍時(shí)間：2-5min。