[發明專利]金屬有機氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201210065763.5
• 申請日: 2012-03-13
• 公開（公告）號: CN102560429A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 周寧;何乃明;范文遠
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，包括：

用于進行金屬有機氣相沉積的反應腔；

位于所述反應腔底部的基座，所述基座用于承載待沉積基底；

位于所述反應腔頂部的噴淋組件，所述噴淋組件用于將反應氣體分配至所述反應腔內，所述噴淋組件包括中心進氣裝置和包圍所述中心進氣裝置的外圍進氣裝置，其中，所述中心進氣裝置用于將第一氣體以第一通量分配至中心進氣裝置與基座之間的區域，所述第一氣體為III族金屬有機源氣體、V族氫化物源氣體和載氣，其中，所述第一氣體中的III族金屬有機源氣體和V族氫化物源氣體具有第一流量比，所述外圍進氣裝置用于將第二氣體以第二通量分配至所述反應腔的外圍區域，從而減弱第一氣體分配的熱對流渦旋，所述第二氣體為載氣、III族金屬有機源氣體和V族氫化物源氣體，其中，所述第二氣體中的III族金屬有機源氣體和V族氫化物源氣體具有第二流量比，且所述第二流量比與第一流量比不同。

2.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述中心進氣裝置的半徑大于基座半徑15～25mm。

3.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述中心進氣裝置到所述基座的距離為20～30mm。

4.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二通量為第一通量的2～10倍。

5.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二流量比大于9或小于1/9。

6.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述基座的旋轉速度為900RPM～1500RPM。

7.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述外圍進氣裝置包括第三進氣裝置和冷卻裝置。

8.如權利要求7所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述第三進氣裝置包括若干子進氣裝置。

9.如權利要求8所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述若干子進氣裝置分別將III族金屬有機源氣體和載氣，以及V族氫化物源氣體和載氣傳輸至反應腔的外圍區域。

10.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述外圍進氣裝置具有外圍進氣口，所述外圍進氣口位于與反應腔相接觸的一側。

11.如權利要求10所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述外圍進氣口的數量為1～4個。

12.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述III族金屬有機源包括Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃氣體中的一種或多種。

13.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述V族氫化物源包括NH₃、PH₃、AsH₃氣體中的一種或多種。

14.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述載氣為氮氣、氫氣中的一種或兩種。

15.如權利要求1所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述中心進氣裝置包括第一進氣裝置、第二進氣裝置和冷卻裝置。

16.如權利要求15所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置將III族金屬有機源氣體和載氣傳輸至中心進氣裝置與基座之間的區域，所述第一進氣裝置包括第一進氣口。

17.如權利要求15所述金屬有機氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二進氣裝置將V族氫化物源氣體和載氣傳輸至中心進氣裝置與基座之間的區域，所述第二進氣裝置包括第二進氣口。