[發明專利]一種CdS/Sn異質結構納米發光材料的制備方法有效
| 申請號: | 201210065412.4 | 申請日: | 2012-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN102618269A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 王順利;李培剛;唐為華 | 申請(專利權)人: | 浙江理工大學 |
| 主分類號: | C09K11/66 | 分類號: | C09K11/66 |
| 代理公司: | 浙江英普律師事務所 33238 | 代理人: | 陳小良 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 cds sn 結構 納米 發光 材料 制備 方法 | ||
1.一種CdS/Sn異質結構納米發光材料的制備方法,其特征在于包括下述步驟:
(1)以CdS粉末和Sn粉為原料,混合碾磨15分鐘以上,使之混合均勻;將混合物置入石英舟中,取鍍金的Si片沿著氣流方向放置于石英舟的下方;整個反應裝置密封,其中CdS粉末與Sn粉的摩爾比為4∶1;
(2)將反應裝置先抽真空,然后通入氬氣至一個大氣壓;
對反應裝置進行循環操作抽真空至200mmHg以下、通入氬氣2次以上;再穩定通氬氣流經反應裝置;
(3)將反應裝置加熱至890~910℃,并保持反應時間30~40分鐘;
(4)然后再將反應裝置自然冷卻至室溫,在Si片上所得的沉積產物為CdS/Sn異質結構納米發光材料。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于步驟(1)中CdS粉末和Sn粉的混合原料在瑪瑙研缽中碾磨。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于步驟(1)中石英舟放置區域為反應裝置的加熱區;Si片放置區域為沉積區,并且Si片與石英舟之間的距離為25cm。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于步驟(2)中氬氣流量為350sccm。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于步驟(3)中反應溫度為900℃。
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