[發明專利]面板及其制法有效
| 申請號: | 201210065309.X | 申請日: | 2012-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN102593126A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 黃國有;黃德群 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 面板 及其 制法 | ||
1.一種面板,包含:
一基板,其定義有一象素區與位于所述象素區的至少一側的一走線區;
一第一圖案化導電層,設置于所述基板上,所述第一圖案化導電層包含至少一第一電極線、至少一第一電極、及至少一走線,所述第一電極與第一電極線連接且皆位于所述象素區,所述走線位于所述走線區;
一第一絕緣層,設置且覆蓋于所述象素區、走線區及第一圖案化導電層之上;
一第二圖案化導電層,設置于所述第一絕緣層之上,所述第二圖案化導電層具有至少一第二電極位于所述象素區的第一絕緣層之上;
一第二絕緣層,設置且覆蓋于位于所述象素區的第二電極、走線區、與位于走線上方的第一絕緣層之上;
一圖案化半導體層,設置于所述第二絕緣層之上,所述圖案化半導體層包含至少一第一部份對應于所述第一電極以及至少一第二部份對應于所述走線;
一第三圖案化導電層,設置于所述第二絕緣層之上,所述第三圖案化導電層包含至少一第二電極線、至少一與第二電極線連接的第三電極、至少一第四電極,且所述第三電極、第二電極線、及第四電極皆位于所述象素區,其中,所述第一電極、圖案化半導體層的第一部份與所述第三電極形成一晶體管,所述第四電極對應于所述第二電極且形成一儲存電容;
一保護層,設置且覆蓋位于所述象素區的第三圖案化導電層與第二絕緣層之上;以及
一圖案化導電膜,設置于位在所述象素區的保護層之上,且所述圖案化導電膜包含至少一象素電極連接所述晶體管與儲存電容。
2.如權利要求1所述的面板,其中,所述走線連接第一電極線或第二電極線。
3.如權利要求1所述的面板,其中,
所述基板更包含一接觸墊區;
所述第一圖案化導電層更包含至少一第一接墊設置于所述接觸墊區上,所述第一接墊與所述走線連接;
所述第二絕緣層更設置于所述接觸墊區上;
所述第三圖案化導電層更包含至少一第二接墊設置于位于所述接觸墊區的第二絕緣層上,且其經由位于所述第二絕緣層中的開口連接所述第一接墊;以及
所述圖案化導電膜更包含至少一與所述象素電極分離的第三部份,所述第三部份設置且覆蓋于所述第二接墊之上,其中,所述圖案化半導體層不位于所述接觸墊區。
4.一種面板,包含:
一基板,其定義有一象素區與位于所述象素區的至少一側的一走線區;
一第一圖案化導電層,設置于所述基板上,所述第一圖案化導電層包含至少一第一電極線、至少一與所述第一電極線連接的第一電極,且所述第一電極與第一電極線皆位于所述象素區,以及至少一第一走線位于所述走線區;
一第一絕緣層,設置且覆蓋于所述象素區、走線區及第一圖案化導電層之上;
一第二圖案化導電層,設置于所述第一絕緣層之上,所述第二圖案化導電層具有至少一第二電極位于所述象素區的第一絕緣層之上以及至少一第二走線位于所述走線區;
一第二絕緣層,設置且覆蓋位于所述象素區的第二電極、走線區、第一走線上方的第一絕緣層、與第二走線之上;
一圖案化半導體層,設置于所述第二絕緣層之上,所述圖案化半導體層包含至少一第一部份對應于所述第一電極以及至少一第二部份對應于所述第二走線;
一第三圖案化導電層,設置于所述第二絕緣層之上,所述第三圖案化導電層包含至少一第二電極線、至少一與第二電極線連接的第三電極、與至少一第四電極,且所述第三電極、第二電極線、第四電極皆位于所述象素區,其中,所述第一電極、所述圖案化半導體層的第一部份與所述第三電極形成一晶體管,所述第四電極對于所述第二電極形成一儲存電容;
一保護層,設置且覆蓋位于所述象素區的第三圖案化導電層與第二絕緣層之上;以及
一圖案化導電膜,設置于位在所述象素區的保護層之上,且所述圖案化導電膜包含至少一象素電極連接所述晶體管與所述儲存電容。
5.如權利要求4所述的面板,其中,所述保護層更設置且覆蓋位于所述走線區的圖案化半導體層的第二部份及位于所述走線區的第二絕緣層之上,其中位于所述象素區的保護層厚度實質上大于位于所述走線區的保護層厚度。
6.如權利要求4所述的面板,其中,所述圖案化半導體層更包含至少一第三部份,設置于所述第二絕緣層之上且對應于所述第一走線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





