[發(fā)明專利]一種磁控濺射設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210065131.9
• 申請日: 2012-03-13
• 公開（公告）號: CN103305800A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設計）人: 呂鈾
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種磁控濺射設備，包括反應腔室、射頻線圈以及線圈射頻電源，所述射頻線圈環(huán)繞于所述反應腔室的側壁設置，并與所述線圈射頻電源連接，其特征在于，在所述射頻線圈的外側設有用于使所述射頻線圈產生的磁場偏向所述反應腔室的中心線的匯聚磁體，所述匯聚磁體采用軟磁鐵氧體材料制成，而且所述軟磁鐵氧體材料的頻率范圍與所述射頻電源的工作頻率匹配。

2.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述匯聚磁體包括向所述反應腔室中心線方向延伸的兩個凸部以及連接所述凸部的連接部，兩個所述凸部與所述連接部形成一凹部，所述射頻線圈設置在所述凹部內。

3.根據權利要求2所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述射頻線圈的匝數為至少一圈。

4.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述匯聚磁體為一體結構。

5.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述匯聚磁體為分體式結構，其包括n個軟磁鐵氧體組件，n為大于或等于2的整數，n個所述軟磁鐵氧體組件拼接成所述匯聚磁體。

6.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述射頻電源的工作頻率范圍為2MHz，所述匯聚磁體的材料包括NiZn。

7.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述射頻線圈環(huán)繞于所述反應腔室的側壁的外側。

8.根據權利要求7所述的磁控濺射設備，其特征在于，在所述反應腔室的側壁的外側設有屏蔽罩，所述屏蔽罩與所述反應腔室的側壁外側形成一封閉空間，所述射頻線圈以及匯聚磁體設置于所述封閉空間內。

9.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述射頻線圈環(huán)繞在所述反應腔室的側壁的內側設置，對應地，所述匯聚磁體設置在所述反應腔室的側壁與所述射頻線圈之間。

10.根據權利要求1所述的磁控濺射設備，其特征在于，在所述反應腔室的內側還設有介質桶，所述介質桶采用陶瓷或石英材料制作而成。

11.根據權利要求2或3所述的磁控濺射設備，其特征在于，所述匯聚磁體為多個，并且同軸疊置在所述反應腔室的側壁。