[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201210064853.2
• 申請日: 2012-03-13
• 公開（公告）號: CN102683367A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 和山弘;望月千織;渡邊實;橫山啟吾;大藤將人;川鍋潤;藤吉健太郎
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 卜榮麗

技術領域

本發明涉及諸如包括放射線檢測裝置的檢測裝置的半導體裝置及其制造方法。

背景技術

日本專利公開No.2009-133837提出了一種放射線檢測裝置，在該放射線檢測裝置中，外部電路和像素陣列中的半導體元件經由導電粘接材料彼此電連接，所述導電粘接材料穿透用作支承像素陣列的基板的絕緣層。導電粘接材料穿透在像素陣列的外部的基板，并且外部電路布置在基板外圍的外部。

發明內容

在諸如包括日本專利公開No.2009-133837中所述的放射線檢測裝置的檢測裝置的半導體裝置中，期望外部電路布置在它面對基板的背面的位置處，以縮小半導體裝置的尺寸。然而，當外部電路布置在它面對基板的背面的位置處時，在外部電路與包括在像素陣列中的電路元件和導電線之間產生的寄生電容增大。該寄生電容可通過增大基板的厚度來減小。然而，隨著基板的厚度增大，延伸通過基板的接觸孔的直徑也增大，并且布置在基板的背面的導電焊盤的面積繼而增大。因此，在導電焊盤與包括在像素陣列中的電路元件和導電線之間產生的寄生電容增大。鑒于此，本發明在其一方面提供一種用于減小半導體裝置中的寄生電容的技術，所述寄生電容為在布置在基板的正面上的電路元件和導電線與布置在基板的背面上的電子電路之間產生的寄生電容。

本發明的一方面提供一種半導體裝置，其包括：基板；像素陣列，其布置在所述基板上；第一導電焊盤，其布置在所述基板上，并且與所述像素陣列的電路元件電連接；和第二導電焊盤，其布置在所述基板下面以連接電子電路，所述半導體裝置包括：絕緣層，其布置在所述基板與所述第一導電焊盤之間；第三導電焊盤，其布置在所述基板與所述絕緣層之間；第一導電部件，其穿過延伸通過所述絕緣層的第一接觸孔，并且將所述第一導電焊盤與所述第三導電焊盤彼此連接；和第二導電部件，其穿過延伸通過所述基板的第二接觸孔，并且將所述第二導電焊盤與所述第三導電焊盤彼此連接，其中，所述像素陣列還包括導電線，所述導電線與包括在按行方向和列方向中的一個方向對齊的多個像素中的電路元件連接，并且所述第一導電焊盤在按行方向和列方向中的所述一個方向對齊的所述多個像素之間的間隔中與所述導電線連接。

本發明的另一方面提供一種制造半導體裝置的方法，所述半導體裝置包括基板、像素陣列、第一導電焊盤和第二導電焊盤，所述像素陣列布置在所述基板上并且包括導電線，所述導電線與在按行方向和列方向中的一個方向對齊的多個像素中的每一個中包括的電路元件連接，所述第一導電焊盤布置在所述基板上并且與所述像素陣列的電路元件電連接，所述第二導電焊盤布置在所述基板下面以連接電子電路，所述方法包括：在所述基板上形成第三導電焊盤；在所述第三導電焊盤上形成絕緣層；形成第一接觸孔，該第一接觸孔延伸通過所述絕緣層并使所述第三導電焊盤的在所述絕緣層側的表面暴露；形成第一導電部件，所述第一導電部件穿過所述第一接觸孔并且與所述第三導電焊盤連接；在所述絕緣層上形成所述第一導電焊盤，所述第一導電焊盤與所述第一導電部件連接并且在按行方向和列方向中的所述一個方向對齊的所述多個像素之間的間隔中與所述導電線連接；在所述絕緣層上形成所述像素陣列；形成第二接觸孔，所述第二接觸孔延伸通過所述基板并且使所述第三導電焊盤的在所述基板側的表面暴露；形成第二導電部件，所述第二導電部件穿過所述第二接觸孔并且與所述第三導電焊盤連接；和在所述基板下面形成與所述第二導電部件連接的第二導電焊盤。

從以下參照附圖對示例性實施例的描述，本發明的進一步的特征將變得明顯。

附圖說明

并入本說明書中并且構成本說明書的一部分的附圖示出本發明的實施例，并且與具體實施方式一起用于說明本發明的原理。

圖1A和圖1B是用于說明根據第一實施例的檢測裝置100的示例性構造的示意性前視圖和示意性平面圖；

圖2A和圖2B是用于說明根據第一實施例的像素200的示例性構造的平面圖和截面圖；

圖3A和圖3B是用于說明根據第一實施例的像素300的示例性構造的平面圖和截面圖；

圖4是用于說明根據第一實施例的導電焊盤181的布置的示例的仰視圖；

圖5A至圖5C是用于說明制造根據第一實施例的檢測裝置100的示例性方法的視圖；

圖6A至圖6B是用于說明對于第一實施例的修改的示意性前視圖和示意性平面圖；

圖7是用于說明根據第二實施例的檢測裝置700的示例性構造的示意性平面圖；

圖8是用于說明根據第二實施例的像素800的示例性構造的平面圖；