[發明專利]橫向擴散金屬氧化半導體元件

有效

• 申請號: 201210064850.9
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN103208520B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 林安宏;林宏澤;黃柏睿;廖偉善;顏挺洲;周昆宜;陳純偉;簡明勇
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種橫向擴散金屬氧化半導體元件，包括：

基底；

第一摻雜區，設于該基底中，且具有第一導電類型；

第二摻雜區，設于該第一摻雜區中，且具有一第二導電類型，其中該第二摻雜區具有操場跑道形(racetrack)輪廓，且該第二摻雜區具有長軸與短軸；

第三摻雜區，設于該第二摻雜區中，且具有該第一導電類型；

第四摻雜區，設于該第一摻雜區中，且具有該第一導電類型；

柵極結構，設于該第三摻雜區與該第四摻雜區之間的該第一摻雜區與該第二摻雜區上；以及

接觸金屬，設于該第二摻雜區沿著該長軸延伸出的一側的該第一摻雜區上，并與該第一摻雜區相接觸，其中該接觸金屬電性連接至該第三摻雜區。

2.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，其中該第四摻雜區位于該第二摻雜區沿著該短軸延伸出的一側的該第一摻雜區中。

3.如權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，其中該第二摻雜區具有直道部，位于該短軸的一端，且該第四摻雜區在平行該長軸的一方向上的寬度大于或等于該直道部在該方向上的寬度。

4.如權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，其中該第三摻雜區電連接至一低壓端，且該第四摻雜區電連接至一高壓端。

5.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，另包括第五摻雜區，設于該接觸金屬下的該第一摻雜區中，并與該接觸金屬相接觸，其中該第五摻雜區具有該第二導電類型。

6.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，其中該接觸金屬具有至少一延伸部，朝該第二摻雜區沿著該短軸延伸出的一側延伸出。

7.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，另包括多個第六摻雜區，設于該第三摻雜區中，并貫穿該第三摻雜區而與該第二摻雜區相接觸，且該多個第六摻雜區具有該第二導電類型。

8.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，另包括護環，設于該基底中，并圍繞該第一摻雜區。

9.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，另包括另一接觸金屬，設于該第二摻雜區沿著該長軸延伸出的另一側的該第一摻雜區上，并與該第一摻雜區相接觸。

10.如權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，其中該柵極結構圍繞該第三摻雜區。

11.一種橫向擴散金屬氧化半導體元件，包括：

兩個蕭特基二極管，彼此平行設置，且平行于一方向，其中各該蕭特基二極管包括一狹長形接觸金屬，沿著該方向延伸；以及

多個橫向擴散金屬氧化半導體單元，設于該兩個蕭特基二極管之間，且該多個橫向擴散金屬氧化半導體單元沿著該方向排列。

12.如權利要求11所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，另包括護環，圍繞該兩個蕭特基二極管與該多個橫向擴散金屬氧化半導體單元。

13.如權利要求11所述的橫向擴散金屬氧化半導體元件，另包括多個摻雜區，且各該摻雜區與各該橫向擴散金屬氧化半導體單元依序沿著該方向交替排列。