[發明專利]三結太陽能電池及其制備方法

無效

• 申請號: 201210064787.9
• 申請日: 2012-03-13
• 公開（公告）號: CN102569476A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 王良均;丁杰;劉建慶;林桂江;畢京鋒;蔡文必
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L31/0735
• 分類號: H01L31/0735;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.三結太陽能電池，包含：頂電池、中電池、底電池以及兩個隧穿結，其特征在于：頂電池和中電池的背電場均為Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結結構。

2.根據權利要求1所述的三結太陽能電池，其特征在于：所述頂電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場中Al_xGa_1-xAs的Al組分x取值范圍為：0.4≤x<1。

3.根據權利要求1所述的三結太陽能電池，其特征在于：所述中電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場中Al_xGa_1-xAs的Al組分x取值范圍為：0.2≤x<1。

4.根據權利要求1所述的三結太陽能電池，其特征在于：所述頂電池及中電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場中Al_xGa_1-xAs的厚度為10~200nm。

5.根據權利要求1所述的三結太陽能電池，其特征在于：所述頂電池及中電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場中AlAs的厚度為10~200nm。

6.根據權利要求1所述的三結太陽能電池，其特征在于：所述頂電池及中電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場中Al_xGa_1-xAs摻雜濃度為1×10¹⁷～1×10^19?/cm³。

7.根據權利要求1所述的三結太陽能電池，其特征在于：所述頂電池及中電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場中AlAs摻雜濃度為1×10¹⁷～1×10^19?/cm³。

8.三結薄膜太陽能電池的制作方法，包括以下步驟：

提供Ge襯底，通過P/As的擴散形成Ge底電池；

在底電池之上外延生長GaAs隧穿結；

在GaAs隧穿結上外延生長中電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場；

在Al_xGa_1-xAs/AlAs背電場上外延生長(In)GaAs中電池；

在中電池之上外延生長GaAs/AlGaAs隧穿結；

在GaAs/AlGaAs隧穿結上外延生長頂電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs；

在Al_xGa_1-xAs/AlAs背電場上外延生長(Al)GaInP頂電池。

9.根據權利要求8所述的三結太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述頂電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場中Al_xGa_1-xAs的Al組分x取值范圍為：0.4≤x<1。

10.根據權利要求8所述的三結太陽能電池的制作方法，所述中電池的Al_xGa_1-xAs/AlAs異質結背電場中Al_xGa_1-xAs的Al組分x取值范圍為：0.2≤x<1。