[發明專利]三電平逆變器

有效

• 申請號: 201210064748.9
• 申請日: 2012-03-13
• 公開（公告）號: CN102611343A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 何波
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: H02M7/48
• 分類號: H02M7/48;H05K7/20
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種三電平逆變器，包括：第一直流源和第二直流源，所述第一直流源負極和所述第二直流源正極連接作為為第一節點，依次串聯在所述第一直流源正極與第二直流源負極之間的第一開關管、第二開關管、第三開關管和第四開關管，所述第一開關管和第二開關管的連接處為第二節點，所述第二開關管和第三開關管的連接處為第三節點，所述第三開關管和第四開關管的連接處為第四節點，第一二極管，其陽極連接于所述第一節點，其陰極連接于所述第二節點，第二二極管，其陰極連接于所述第一節點，其陽極連接于所述第四節點，濾波單元，所述濾波單元的兩端分別連接于所述第一節點和第三節點，其特征在于，還包括：

第五開關管，所述第五開關管連接于所述第二節點與第四節點之間。

2.根據權利要求1所述的三電平逆變器，其特征在于，

所述濾波單元包括電感和電容，所述電感的一端連接于所述第三節點，所述電容的一端連接于所述電感的另一端，所述電容的另一端連接于所述第一節點。

3.根據權利要求1或2所述的三電平逆變器，其特征在于，

所述第五開關管為場效應晶體管。

4.根據權利要求3所述的三電平逆變器，其特征在于，

所述場效應晶體管為MOSFET。

5.根據權利要求1或2所述的三電平逆變器，其特征在于，

所述第五開關管為雙極性晶體管。

6.根據權利要求5所述的三電平逆變器，其特征在于，

所述雙極性晶體管為IGBT。

7.根據權利要求6所述的三電平逆變器，其特征在于，還包括：

連接于所述第五開關管的發射極和集電極之間的反并二極管。