[發明專利]半導體封裝方法無效
| 申請號: | 201210064686.1 | 申請日: | 2012-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN102610624A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發明(設計)人: | 王之奇;王文龍;喻瓊;俞國慶;李海峰;王蔚 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶方半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 楊林潔 |
| 地址: | 215000 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 方法 | ||
技術領域
本發明屬于半導體制造領域技術,尤其涉及一種半導體封裝方法。
背景技術
晶圓級封裝(Wafer?Level?Packaging,WLP)技術是對整片晶圓進行封裝測試后再切割得到單個成品芯片的技術,封裝后的芯片尺寸與裸片完全一致。晶圓級芯片尺寸封裝技術徹底顛覆了傳統封裝如陶瓷無引線芯片載具(Ceramic?Leadless?Chip?Carrier)以及有機無引線芯片載具(Organic?LeadlessChip?Carrier)等模式,順應了市場對微電子產品日益輕、小、短、薄化和低價化要求。
現有的晶圓級封裝技術中,例如是感光芯片的封裝,其感光的感光區常受其上的透明基板的影響,使得光線的接收與發射不順利,從而影響芯片的整體性能。
發明內容
本發明的目的在于提供一種半導體封裝方法。
為實現上述發明目的,本發明提供一種半導體封裝方法,該方法包括以下步驟:
提供一基板,其包括上表面以及與上表面相背的下表面,所述基板上包括感光區,以及與所述感光區電性連接的焊墊;
提供一臨時基板,在所述臨時基板上形成收容空間,所述收容空間至少可容納所述感光區;
在所述臨時基板形成有收容空間的一面上設置粘合劑,并將其貼合在所述基板的上表面上,所述感光區位于所述收容空間內;
自所述基板的下表面形成暴露出所述焊墊的孔洞;
在所述孔洞內形成與所述焊墊電性連接的導電介質;
將所述基板與所述臨時基板剝離。
作為本發明的進一步改進,所述“在所述孔洞內形成與所述焊墊電性連接的導電介質”步驟具體包括:
在所述孔洞的側壁及底部上形成絕緣層;
移除所述孔洞底部上的絕緣層以暴露出所述焊墊;
在所述孔洞的側壁及底部上形成與所述焊墊電性連接的導電介質。
作為本發明的進一步改進,該方法還包括:
在所述基板的下表面上形成絕緣層,并將所述孔洞內的導電介質延伸至下表面部分的絕緣層上;
在所述基板的下表面的導電介質上形成防焊層;
在所述防焊層上形成部分暴露出所述導電介質的開口,并通過所述開口形成與所述導電介質電性連接的焊接凸點或觸點陣列。
作為本發明的進一步改進,在“將所述基板與所述臨時基板剝離”具體包括:切割所述基板和所述臨時基板為多個芯片;分別將多個芯片上的所述基板與所述臨時基板剝離。
作為本發明的進一步改進,所述孔洞的靠近所述基板下表面的開口的口徑大于所述孔洞的靠近所述基板上表面的開口的口徑。
上述發明目的還可以通過以下方法解決,提供一種半導體封裝方法,該方法包括以下步驟:
提供一基板,其包括上表面以及與上表面相背的下表面,所述基板上包括感光區,以及與所述感光區電性連接的焊墊;
提供一臨時基板,并在所述臨時基板上形成阻隔墻,所述阻隔墻與所述臨時基板形成一收容空間,所述收容空間至少可容納所述感光區;
在所述形成的阻隔墻上設置粘合劑,并將所述臨時基板制作有阻隔墻的一面貼合在所述基板的上表面上,所述感光區位于所述收容空間內;
自所述基板的下表面形成暴露出所述焊墊的孔洞;
在所述孔洞內形成與所述焊墊電性連接的導電介質;
將所述基板與所述臨時基板剝離。
作為本發明的進一步改進,所述“在所述臨時基板上形成阻隔墻”步驟具體包括:在所述臨時基板上旋涂一粘著膠,并光刻所述粘著膠形成所述阻隔墻。
作為本發明的進一步改進,所述“在所述孔洞內形成與所述焊墊電性連接的導電介質”步驟具體包括:
在所述孔洞的側壁及底部上形成絕緣層;
移除所述孔洞底部上的絕緣層以暴露出所述焊墊;
在所述孔洞的側壁及底部上形成與所述焊墊電性連接的導電介質。
作為本發明的進一步改進,該方法還包括:
在所述基板的下表面上形成絕緣層,并將所述孔洞內的導電介質延伸至下表面部分的絕緣層上;
在所述基板的下表面的導電介質上形成防焊層;
在所述防焊層上形成部分暴露出所述導電介質的開口,并通過所述開口形成與所述導電介質電性連接的焊接凸點或觸點陣列。
作為本發明的進一步改進,在“將所述基板與所述臨時基板剝離”具體包括:切割所述基板和所述臨時基板為多個芯片;分別將多個芯片上的所述基板與所述臨時基板剝離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





