[發明專利]一種硅片金相試樣的制備方法無效
| 申請號: | 201210064168.X | 申請日: | 2012-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN102607916A | 公開(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發明(設計)人: | 王風振;宮龍飛 | 申請(專利權)人: | 蘇州協鑫工業應用研究院有限公司 |
| 主分類號: | G01N1/28 | 分類號: | G01N1/28;G01N1/32;G01N1/36 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 肖明芳 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 金相 試樣 制備 方法 | ||
1.一種硅片金相試樣的制備方法,其特征在于,它包括如下步驟:
(1)將亞克力樹脂粉和液態固化劑按使用說明配比混勻,添加兩者總重量的5~25%有機溶劑,混勻,制成冷鑲劑;
(2)將硅片放置在硅膠冷鑲模具底部,其上澆鑄步驟(1)制得的冷鑲劑,固化;
(3)對固化后的金相試樣進行拋光、腐蝕處理;
其中,所述的有機溶劑為乙醇、乙二醇或異丙醇。
2.根據權利要求1所述的硅片金相試樣的制備方法,其特征在于,所述的硅片厚度為250μm以下。
3.根據權利要求1所述的硅片金相試樣的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,固化溫度為20~30℃,固化時間為0.5~2h。
4.根據權利要求1所述的硅片金相試樣的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,所述的拋光、腐蝕處理為二次拋光和二次腐蝕處理。
5.根據權利要求4所述的硅片金相試樣的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,對固化后的金相試樣進行拋光、腐蝕處理具體步驟如下:
(3a)在拋光機上對固化后的金相試樣進行初步拋光,拋光液依次為粒徑9μm、3μm的金剛石懸浮液,然后用粒徑0.05~0.1μm的SiO2懸浮液進行拋光;
(3b)用純水將步驟(3a)拋光后的試樣清洗干凈并吹干;
(3c)使用酸腐蝕液或堿腐蝕液對步驟(3b)處理后的試樣表面進行淺腐蝕,時間為2~5min;
(3d)對步驟(3c)處理后的試樣進行二次拋光,拋光布選用柔軟短絨布,拋光液選擇粒徑為0.05~0.1μm的SiO2懸浮液,時間為1~2min;
(3e)用純水對步驟(3d)處理后的試樣表面清洗干凈;
(3f)用擇優腐蝕液對步驟(3e)處理后的試樣進行擇優腐蝕,時間為3~15min;
(3g)使用純凈水將步驟(3f)處理后的試樣清洗干凈并吹干。
6.根據權利要求5所述的硅片金相試樣的制備方法,其特征在于,步驟(3b)中使用的酸腐蝕液為68%mol/L的硝酸、40%mol/L的氫氟酸和H2O按體積比3∶1∶5~3∶1∶20的混合物;所述的堿腐蝕液為NaOH和H2O按重量比1∶5~1∶20的混合物。
7.根據權利要求5所述的硅片金相試樣的制備方法,其特征在于,步驟(3f)中使用的擇優腐蝕液為49%mol/L的氫氟酸和0.15M?K2Cr2O7水溶液按體積比2∶1的混合物。
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