[發明專利]原子振蕩器用光學模塊以及原子振蕩器

有效

• 申請號: 201210064106.9
• 申請日: 2012-03-12
• 公開（公告）號: CN102684694B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 西田哲朗
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: H03L7/26
• 分類號: H03L7/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 李偉,王軼

1.一種原子振蕩器用光學模塊，其特征在于，是利用量子干涉效應的原子振蕩器用光學模塊，該原子振蕩器用光學模塊包括：

光源，其射出包含具有規定波長的基波、和該基波的邊帶的光；

波長選擇部，其被射入來自所述光源的光，并使該射入的光中的所述邊帶透過；

氣室，該氣室中封入了堿金屬氣體，且該氣室被透過所述波長選擇部后的光照射；

光檢測部，其對照射到所述氣室的光中透過所述氣室后的光的強度進行檢測；

所述波長選擇部具有：

濾光器部，其使規定的波長范圍的光透過；

濾光器特性控制部，其使透過所述濾光器部的光的波長范圍變化。

2.根據權利要求1所述的原子振蕩器用光學模塊，其特征在于，

所述濾光器部是標準具，

所述濾光器特性控制部利用電光效應來使透過所述濾光器部的光的波長范圍變化。

3.根據權利要求2所述的原子振蕩器用光學模塊，其特征在于，

所述濾光器部具有：

第1反射鏡以及第2反射鏡，它們相互對置，并使射入到所述波長選擇部的光反射；

基板，其配置在所述第1反射鏡和所述第2反射鏡之間，

所述基板的材質是化合物半導體。

4.根據權利要求3所述的原子振蕩器用光學模塊，其特征在于，

所述濾光器特性控制部具有向所述基板施加電壓的第1電極以及第2電極。

5.根據權利要求4所述的原子振蕩器用光學模塊，其特征在于，

還包括化合物半導體的基體，

所述光源是半導體激光器，

所述濾光器部以及所述光源位于所述基體上，

所述第1電極位于所述基體的與所述濾光器部所處一側相反的一側，

所述第2電極位于所述濾光器部的與所述基體所處一側相反的一側。

6.根據權利要求5所述的原子振蕩器用光學模塊，其特征在于，

所述濾光器部的所述基板具有從所述基體側起層疊的第1層、第2層以及第3層，

所述第1層的折射率以及所述第3層的折射率比所述第2層的折射率小，

所述第2層使從所述光源射出的光傳播。

7.根據權利要求1～6中任意一項所述的原子振蕩器用光學模塊，其特征在于，

所述光源是邊發射激光器。

8.根據權利要求1～6中任意一項所述的原子振蕩器用光學模塊，其特征在于，

所述光源是面發射激光器。

9.一種原子振蕩器，其特征在于，

包括權利要求1～8中任意一項所述的原子振蕩器用光學模塊。

10.一種原子振蕩器，其特征在于，是利用量子干涉效應的原子振蕩器，包括：

光源，其射出包含具有規定波長的基波、和該基波的邊帶的光；

波長選擇部，其被射入來自所述光源的光，并使該射入的光中的所述邊帶透過；

氣室，該氣室中封入了堿金屬氣體，且該氣室被透過所述波長選擇部后的光照射；

光檢測部，其對照射到所述氣室的光中透過所述氣室的光的強度進行檢測；

所述波長選擇部具有：

濾光器部，其使規定的波長范圍的光透過；

濾光器特性控制部，其使透過所述濾光器部的光的波長范圍變化。