[發明專利]側墻的形成方法和用側墻定義圖形結構的方法

有效

• 申請號: 201210064030.X
• 申請日: 2012-03-12
• 公開（公告）號: CN103311109A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 肖勝安;程鑫華
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種側墻的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在硅片上淀積第一種材料，采用光刻和刻蝕工藝形成具有臺階結構的第一種材料圖形；

步驟二、在所述第一種材料圖形之上淀積第二種材料，所述第二種材料在所述第一種材料圖形的臺階結構的側面處形成一倒切形狀，所述第二種材料的倒切形狀的頂部寬度大于等于底部寬度的1.1倍；

步驟三、對所述第二種材料進行各向異性刻蝕，將位于所述第一種材料圖形的頂部和底部的所述第二種材料完全去除、將位于所述第一種材料圖形的臺階結構的側面處的所述第二種材料部分保留并形成側墻；所述側墻的底部寬度為步驟二中所述第二種材料的倒切形狀的底部寬度的0.9倍～1倍。

2.如權利要求1所述的側墻的形成方法，其特征在于：步驟一中所述第一種材料圖形的臺階結構為一倒切形狀，該倒切形狀使所述第一種材料圖形的頂部寬度大于或等于底部寬度的1.1倍。

3.如權利要求1所述的側墻的形成方法，其特征在于：在步驟一中所述第一種材料圖形的臺階結構的頂部側面形成有凸出的部分，該凸出的部分使所述第一種材料圖形的頂部寬度大于或等于底部寬度的1.1倍。

4.一種用側墻定義圖形結構的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在硅片上淀積第一種材料；

步驟二、在所述第一種材料上淀積一層犧牲膜，采用光刻和刻蝕工藝形成具有臺階結構的犧牲膜圖形；

步驟三、在所述犧牲膜圖形之上淀積第二種材料，所述第二種材料在所述犧牲膜圖形的臺階結構的側面處形成一倒切形狀，所述第二種材料的倒切形狀的頂部寬度大于等于底部寬度的1.1倍；

步驟四、對所述第二種材料進行各向異性刻蝕，將位于所述犧牲膜圖形的頂部和底部的所述第二種材料完全去除、將位于所述犧牲膜圖形的臺階結構的側面處的所述第二種材料部分保留并形成側墻；所述側墻的底部寬度為步驟三中所述第二種材料的倒切形狀的底部寬度的0.9倍～1倍；

步驟五、將所述犧牲膜完全去除；

步驟六、以所述側墻為保護，對所述第一種材料進行刻蝕，將未被所述側墻保護的所述第一種材料完全去除；

步驟七、去除所述側墻，形成所述第一種材料的圖形結構。

5.如權利要求4所述的用側墻定義圖形結構的方法，其特征在于：步驟七中形成的所述第一種材料的圖形結構的寬度大于或等于20埃。

6.如權利要求4所述的用側墻定義圖形結構的方法，其特征在于：步驟二中所述犧牲膜圖形的臺階結構為一倒切形狀，該倒切形狀使所述犧牲膜圖形的頂部寬度大于或等于底部寬度的1.1倍；或者，在步驟二中所述犧牲膜圖形的臺階結構的頂部側面形成有凸出的部分，該凸出的部分使所述犧牲膜圖形的頂部寬度大于或等于底部寬度的1.1倍。

7.如權利要求4所述的用側墻定義圖形結構的方法，其特征在于：步驟五中的去除所述犧牲膜的工藝為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝，該干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝要求保證所述第一種材料和所述第二種材料不被刻蝕掉。

8.如權利要求4所述的用側墻定義圖形結構的方法，其特征在于：步驟六中的刻蝕所述第一種材料的工藝為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝，該干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝要求保證所述第二種材料不被刻蝕掉。

9.如權利要求4所述的用側墻定義圖形結構的方法，其特征在于：步驟七中的去除所述側墻的工藝為干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝，該干法刻蝕工藝或濕法刻蝕工藝要求保證所述第一種材料不被刻蝕掉。

10.如權利要求4所述的用側墻定義圖形結構的方法，其特征在于：所述第一種材料是多晶硅或金屬，所述犧牲膜是氧化膜，所述第二種材料是氮化膜；或者，所述第一種材料是多晶硅或金屬，所述犧牲膜是氮化膜，所述第二種材料是氧化膜。