[發明專利]一種靜電保護器件

無效

• 申請號: 201210063844.1
• 申請日: 2012-03-12
• 公開（公告）號: CN103311235A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 蘇慶;徐向明;王邦磷;鄧樟鵬
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種靜電保護器件，包括：2N個并列形成于一P阱上NMOS結構，所述并列NMOS結構的最外側為源區，所述最外側源區的外側形成有P型有源區，相鄰的NMOS結構之間共源區/共漏區，N≥1；

每個NMOS結構包括：一柵極和兩隔離側墻，形成于所述P阱上；

一源區，位于所述柵極一側NLDD注入區中，所述NLDD注入區位于所述P阱中；

一漏區，位于所述柵極另一側所述NLDD注入區中，所述NLDD注入區覆蓋部分所述漏區；

本器件柵極、源區和P型有源區均接地，漏區均連接到輸入輸出焊墊端；

其特征是：共漏區上方形成有NLDD注入阻擋區，以阻擋在此區域下方形成的NLDD注入區。

2.如權利要求1所述的靜電保護器件，其特征是：所述NLDD注入阻擋區位于漏區接觸孔下方，距離溝道大于1um。