[發明專利]制作太陽能電池的方法

有效

• 申請號: 201210063161.6
• 申請日: 2012-03-08
• 公開（公告）號: CN102593259A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 胡雁程;陳人杰;吳振誠
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種制作太陽能電池的方法，包括：

提供一半導體基底，其中所述半導體基底包括一第一表面與一第二表面，且該第一表面具有一選擇性射極區域；

于所述半導體基底的選擇性射極區域內的第一表面上形成一摻雜膠，且所述摻雜膠包括一摻雜劑、一耐高溫材料及一有機溶劑；

于所述半導體基底的第二表面形成一粗糙化阻障層；

對所述半導體基底進行一粗糙化處理，以使位于選擇性射極區域外未被摻雜膠覆蓋的半導體基底的第一表面形成一粗糙化表面，并使半導體基底的第二表面于粗糙化處理之后具有一平坦表面；

進行一擴散制程，以使位于選擇性射極區域內的摻雜膠的摻雜劑向下方擴散至第一表面內而形成具有重摻雜的一選擇性射極，以及于該擴散制程中通入一摻雜氣體以于位于選擇性射極區域外的第一表面形成一輕摻雜區，其中所述選擇性射極與所述輕摻雜區具有一第一摻雜類型；

移除所述摻雜膠與所述粗糙化阻障層；

于所述半導體基底的第一表面上形成一抗反射層；

于所述選擇性射極區域內的選擇性射極上形成一第一電極；

于所述半導體基底的第二表面形成一摻雜區，其中該摻雜區具有一第二摻雜類型，且所述第一摻雜類型的極性不同于所述第二摻雜類型的極性；

以及

于所述半導體基底的第二表面上形成一第二電極。

2.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中所述摻雜劑包括n型摻雜物或p型摻雜物。

3.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中所述耐高溫材料的成分為氧化硅、氮氧化硅、金屬氧化物、氮化硅、或上述至少二種的混合物。

4.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中位于所述選擇性射極區域內的抗反射層具有一平坦表面，且位于所述選擇性射極區域外的抗反射層具有一粗糙化表面。

5.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中所述粗糙化阻障層與所述摻雜膠是分別利用一印刷制程形成，且所述粗糙化阻障層與所述摻雜膠是利用一蝕刻制程加以移除。

6.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中所述半導體基底具有第一摻雜類型。

7.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中所述半導體基底具有第二摻雜類型。

8.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中所述第一電極與第二電極是分別以一印刷制程形成于所述半導體基底的第一表面與第二表面。

9.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，另包括于形成第一電極之后，進行一燒結制程，以使所述第一電極與所述選擇性射極連接。

10.如權利要求9所述的制作太陽能電池的方法，其中于所述半導體基底的第二表面形成摻雜區的步驟包括：

于所述半導體基底的第二表面形成一金屬層；以及

利用所述燒結制程使所述金屬層與所述半導體基底形成由金屬硅化物所構成的摻雜區。

11.如權利要求10所述的制作太陽能電池的方法，其中所述金屬層為一軟性金屬層。

12.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中于所述半導體基底的第二表面形成摻雜區的步驟包括通入另一摻雜氣體進行另一擴散制程。

13.如權利要求1所述的制作太陽能電池的方法，其中所述粗糙化阻障層不包含所述摻雜劑。