[發(fā)明專利]太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210063143.8 | 申請日: | 2012-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN102593230A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊伯川;詹逸民 | 申請(專利權(quán))人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0735 | 分類號: | H01L31/0735;H01L31/0304 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 | ||
1.一種太陽能電池,包括:
一第一導(dǎo)電層;
一光電轉(zhuǎn)換層,用以將一光線轉(zhuǎn)換為一電能,該光電轉(zhuǎn)換層位于該第一導(dǎo)電層上方,且該光電轉(zhuǎn)換層包含一硒化銅銦鎵層以及一硅基材,該硒化銅銦鎵層接觸該硅基材,使該硒化銅銦鎵層與該硅基材間形成一異質(zhì)PN接面;以及
一第二導(dǎo)電層,位于該光電轉(zhuǎn)換層上方,其中該第一及該第二導(dǎo)電層用以傳輸該電能。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其中該第一導(dǎo)電層為一金屬層,該第二導(dǎo)電層為一透明導(dǎo)電層,且該硒化銅銦鎵層位于該透明導(dǎo)電層與該硅基材之間。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其中該硒化銅銦鎵層包含P型硒化銅銦鎵,且該硅基材為N型硅基材。
4.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池,其中該硅基材包含一重?fù)诫s區(qū)域N+區(qū)域,位于該硅基材的鄰近該第一導(dǎo)電層的一表面。
5.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其中該光電轉(zhuǎn)換層不包含硫化鎘。
6.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其中該硒化銅銦鎵層包含N型硒化銅銦鎵,且該硅基材為P型硅基材。
7.如權(quán)利要求6所述的太陽能電池,其中該硅基材包含一重?fù)诫s區(qū)域P+區(qū)域,位于該硅基材的鄰近該第一導(dǎo)電層的一表面。
8.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其中該硒化銅銦鎵層具有一鎵濃度分布,且該硒化銅銦鎵層接觸該硅基材的一側(cè)的鎵濃度小于遠(yuǎn)離該硅基材的另一側(cè)的鎵濃度。
9.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其中該硒化銅銦鎵層的厚度為0.1μm至5μm。
10.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其中該第一導(dǎo)電層為一金屬層,該第二導(dǎo)電層為一透明導(dǎo)電層,且該硒化銅銦鎵層位于該金屬層與該硅基材之間。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于友達光電股份有限公司,未經(jīng)友達光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210063143.8/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





