[發(fā)明專利]通孔形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210063066.6
• 申請(qǐng)日: 2012-03-09
• 公開（公告）號(hào): CN102592986B
• 公開（公告）日: 2017-03-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王偉軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/768
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種通孔形成方法，其特征在于，包括：

在一襯底上形成膜層結(jié)構(gòu)；

對(duì)所述膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行光刻、刻蝕工藝，以形成具有通孔的圖形化結(jié)構(gòu)；

其中，在所述刻蝕工藝過程中動(dòng)態(tài)調(diào)整刻蝕設(shè)備的上和/或下電極溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述動(dòng)態(tài)調(diào)整中，使刻蝕設(shè)備的下電極溫度上升，上電極溫度保持不變或下降。

3.如權(quán)利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述動(dòng)態(tài)調(diào)整中，使刻蝕設(shè)備的下電極溫度保持不變，上電極溫度下降。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的通孔形成方法，其特征在于，所述動(dòng)態(tài)調(diào)整中，所述上和/或下電極溫度隨時(shí)間變化的曲線為非線性或線性。

5.如權(quán)利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述膜層結(jié)構(gòu)由下至上依次為刻蝕停止層、層間介質(zhì)層、抗反射介質(zhì)層，所述通孔底部暴露部分所述刻蝕停止層。

6.如權(quán)利要求5所述的通孔形成方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層為TEOS和/或FSG。

7.如權(quán)利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，對(duì)所述膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行的刻蝕分為主刻蝕和過刻蝕兩步。

8.如權(quán)利要求7所述的通孔形成方法，其特征在于，所述下電極溫度在主刻蝕步驟中保持較低溫度不變，在過刻蝕步驟中保持在較高溫度不變，所述較低溫度為15～25℃，所述較高溫度為35～50℃。

9.如權(quán)利要求7所述的通孔形成方法，其特征在于，所述上電極溫度在主刻蝕步驟中保持較高溫度不變，在過刻蝕步驟中保持在較低溫度不變，所述較低溫度為35～50℃，所述較高溫度為65～75℃。

10.如權(quán)利要求4或7所述的通孔形成方法，其特征在于，所述下電極溫度在對(duì)所述膜層結(jié)構(gòu)的刻蝕過程中非線性或線性上升，起始溫度為15～25℃，終止溫度為35～50℃。

11.如權(quán)利要求4或7所述的通孔形成方法，其特征在于，所述上電極溫度在對(duì)所述膜層結(jié)構(gòu)的刻蝕過程中非線性或線性下降，起始溫度為65～75℃，終止溫度為35～50℃。