[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210063018.7
• 申請日: 2006-10-16
• 公開（公告）號: CN102593380A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 桑原秀明;大沼英人
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

1.一種發光裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在具有絕緣表面的襯底上形成第一電極；

在所述第一電極的端部上形成隔離壁；

在所述第一電極上形成包含有機化合物的層；以及

在所述包含有機化合物的層上形成第二電極，

其中所述隔離壁在上端部和下端部具有根據位于隔離壁表面下方的曲率中心而被決定的兩個曲面，并且在上端部和下端部之間具有根據位于隔離壁外側的曲率中心而被決定的一個曲面。

2.如權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

所述隔離壁具有厚區域和薄區域，

所述薄區域的厚度為所述厚區域的厚度的一半，或者所述薄區域的厚度小于所述厚區域的厚度的一半。

3.如權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

使用具有衍射光柵圖形、或半透部的光掩模或中間掩模形成所述隔離壁。

4.如權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

所述隔離壁在側面具有凹凸。

5.如權利要求1所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

所述兩個曲面根據位于隔離壁內部的上端部和下端部的曲率中心而被決定。

6.一種發光裝置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在腔室內沿第一方向遞送襯底，使得所述襯底經過防護屏上方，所述防護屏在上部具有至少一個開口部；

加熱設置在所述防護屏下的蒸發沉積源中的蒸發沉積材料，使得一邊在所述防護屏上方遞送所述襯底一邊從所述防護屏的開口部中釋放出蒸發沉積材料，由此在所述襯底上形成包含有機化合物的層；以及

在形成所述包含有機化合物的層的過程中加熱所述防護屏。

7.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

所述開口部具有延伸形狀，所述延伸形狀具有延伸方向，所述延伸方向沿著與所述第一方向正交的第二方向。

8.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

利用計算機對所述防護屏的加熱進行控制。

9.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

所述腔室與設置室經由閥門連結。

10.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

利用電阻加熱來進行所述蒸發沉積材料的加熱。

11.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

所述防護屏在上部具有多個開口部。

12.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

用多個坩鍋來提供所述蒸發沉積源。

13.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

所述蒸發沉積材料包括有機發光材料。

14.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

所述蒸發沉積材料從所述開口部升華。

15.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

在與所述第一方向正交的第二方向上，所述防護屏具有寬度，并且

所述防護屏的寬度大于所述襯底的寬度。

16.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

在形成所述包含有機化合物的層的過程中，在與所述第一方向正交的第二方向上移動所述蒸發沉積源。

17.如權利要求6所述的發光裝置的制造方法，其特征在于，

還包括在所述蒸發沉積源中作為所述蒸發沉積材料提供包含所述有機化合物的第一坩鍋和包含無機化合物的第二坩鍋的工序。