[發明專利]一種高質量硅鋼?;宓纳a方法有效
| 申請號: | 201210062502.8 | 申請日: | 2012-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN103305745A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 黑紅旭;王波;謝世殊;劉獻東;楊國華;楊勇杰;馬愛華;李曉林;鄒亮;張華偉 | 申請(專利權)人: | 寶山鋼鐵股份有限公司 |
| 主分類號: | C22C38/04 | 分類號: | C22C38/04;C21D8/12;C21D9/56 |
| 代理公司: | 上海市華誠律師事務所 31210 | 代理人: | 徐申民;杜娟 |
| 地址: | 201900 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 質量 硅鋼 ?;?/a> 生產 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種高質量硅鋼?;宓纳a方法。
背景技術
國內外無取向電工鋼產能規模已經逐步進入產能過剩的時代,取向硅鋼低等級產品也已經進入飽和狀態,為了使產品在激烈的市場競爭中占據一席之地,突破方向就是實現產品質量的不斷提升,或者是生產成本的不斷降低。硅鋼的生產方法包括煉鋼、熱軋、常化、酸洗、冷軋和后續退火處理。無取向硅鋼?;幚淼哪康氖亲専彳埌逶诶滠埱暗玫酱执蟮木Я=M織,使冷軋板退火時獲得強度高的0vw織構。取向硅鋼產品是調整晶粒度和織構,硬相控制,產生自由的C、N,析出ALN等。
?;幚磉^程控制不好,即在實際生產過程中,如果不對能量投入率進行有效控制,過剩系數根本無法實現<1.0的穩定控制,實際過剩系數會>1.0,這樣在爐膛的局部就會富集過剩的氧,無法確保整個無氧化加熱爐段整個爐段的還原性氣氛。局部過剩的氧和Si、Al、Mn等發生反應,會在基板表面形成一層非常難于去除由Si、Al、Mn等組成的致密氧化物。這些粘附于基板表面的氧化物,在后續的拋丸和酸洗處理過程中非常難去除。經過冷軋軋制后,會在軋硬板表面局部或者整個板寬上附著著向灰塵一樣的點條狀無手感物質。
日本硅鋼生產技術處于世界領先水平,日本相關專利如特許公報昭48-19048集中在對已產生的致密氧化物,如何通過加強酸洗處理來盡可能進行去除。國內公開出版的文獻“何忠治編著的《電工鋼》”對如何消除粘附于基板表面的氧化物也有描述。其具體的內容如下:將退火后的鋼板在含有10%HF的濃鹽酸中或1~2%HF+6%HNO3酸中70℃酸洗,或者經H3PO4+HF化學磨光或電解磨光。將氧化物完全去除的基板經后續處理的硅鋼成品,鐵損會明顯降低。
上述文獻都是在?;暮罄m步驟中通過加強酸洗來去除基板表面的致密氧化物,但是這只是后續的補救措施。因此存在著?;罄m工藝復雜化、成本增加的問題。因此仍然希望能在常化處理過程中防止致密氧化物的形成。
發明內容
本發明的目的在于提供一種實現高質量硅鋼常化基板的生產方法。高質量是指通過該方法?;幚砗蠡宀划a生后續酸洗無法去除的致密氧化物。本發明的方法可以成功防止常化處理過程中致密氧化物的形成,實現硅鋼常化基板質量的提高。通過本發明的方法,使常化后續工藝簡單、成本降低。
本發明提供了一種高質量硅鋼?;宓纳a方法,包括煉鋼、熱軋、常化步驟,其中常化步驟使用具有無氧化加熱爐段的?;癄t,所述無氧化加熱爐段包括3個以上的爐區,其中,調整所述無氧化加熱爐段中投入使用的爐區的能量投入率,以控制所述無氧化加熱爐段的過剩系數α在0.8≤α<1.0的范圍內,其中,能量投入率是指爐區投入使用的燒嘴的實際燃燒負荷功率和該爐區投入使用的燒嘴的滿負荷功率之比,過剩系數是指實際燃燒空氣量和理論燃燒空氣量之比。
在本發明的方法中,調整所述無氧化加熱爐段中投入使用的爐區的能量投入率至15%-95%的范圍內。
在本發明的方法中,通過關閉所述無氧化加熱爐段的至少一個爐區,來調整所述投入使用的爐區的能量投入率。
在本發明的方法中,通過調整所述無氧化加熱爐段中投入使用的爐區內燒嘴的投入使用數量,來調整所述投入使用的爐區的能量投入率。
在本發明的方法中,通過調整所述無氧化加熱爐段的加熱過程的升溫速率,來調整所述投入使用的爐區的能量投入率。
本發明的方法可以成功防止?;幚磉^程中致密氧化物的形成,實現硅鋼常化基板質量的提高。通過本發明的方法,使常化后續工藝簡單、成本降低。
附圖說明
圖1是?;癄t中無氧化加熱爐段的爐區的能量投入率對實際過剩系數的影響。
圖2是常化爐中無氧化加熱爐段的第4爐區(NOF4)的燒嘴投入和關閉示意圖,其中燒嘴分布在常化爐的操作側和傳動側的上部或下部,√表示燒嘴投入,×表示燒嘴關閉。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例對本發明的方法進行具體說明,但本發明不限于此。
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