[發明專利]一種LED發光器件及其制作方法

無效

• 申請號: 201210062152.5
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102593332A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 周玉剛;賴燃興;姜志榮;許朝軍;黃智聰;朱幸文
• 申請（專利權）人: 晶科電子(廣州)有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/00
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 羅毅萍

1.一種LED發光器件，其特征在于，包括至少一LED芯片和承載所述LED芯片的基板，以及設置于所述基板之上并且容納所述LED芯片的一第一透鏡，所述第一透鏡采用旋涂式玻璃材料制作。

2.如權利要求1所述的LED發光器件，其特征在于，所述LED芯片包括一氮化鎵N型層，設于一外延層上；一量子阱，設于所述氮化鎵N型層上；一氮化鎵P型層，設于所述量子阱上，其上還設有至少一貫穿所述氮化鎵P型層和量子阱的刻蝕通孔，其底部露出所述氮化鎵N型層；一P歐姆接觸層，設于所述氮化鎵P型層上；一N歐姆接觸層，設于所述刻蝕通孔中露出的氮化鎵N型層上；一N鍵合層，設于所述N歐姆接觸層上，與該N歐姆接觸層電連接；以及一P鍵合層，設于所述P歐姆接觸層上，與該P歐姆接觸層電連接；所述基板的上表面設有相互絕緣的P金屬層與N金屬層，所述P歐姆接觸層和N歐姆接觸層分別與所述P金屬層和N金屬層電連接。

3.如權利要求2所述的LED發光器件，其特征在于，所述LED芯片上的P鍵合層和N鍵合層位于LED芯片的底面，并且分別與所述P金屬層與N金屬層鍵合連接。

4.如權利要求2所述的LED發光器件，其特征在于，所述LED芯片上的P鍵合層和N鍵合層位于該LED芯片的頂面，并且分別通過金線與所述P金屬層與N金屬層鍵合連接。

5.如權利要求3或4所述的LED發光器件，其特征在于，還包括第二透鏡，所述第二透鏡設置于所述LED芯片的上方，與所述第一透鏡連接；所述第二透鏡的頂部為半球形、倒梯形、內凹型、錐形、圓臺形、棱臺形、圓柱形、棱柱形、棱錐形、多面體、旋轉體的一種或幾種的組合。

6.如權利要求5所述的LED發光器件，其特征在于，還包括一熒光粉層，所述熒光粉層包裹在所述LED芯片側面和頂面。

7.如權利要求3或4所述的LED發光器件，其特征在于，還包括一第二透鏡，所述第二透鏡設于所述基板之上，底面設有一凹陷區，該凹陷區收容所述LED芯片；所述第二透鏡的頂部為半球形、倒梯形、內凹型、錐形、圓臺形、棱臺形、圓柱形、棱柱形、棱錐形、多面體、旋轉體的一種或幾種的組合。

8.如權利要求7所述的LED發光器件，其特征在于，還包括一熒光粉層，所述熒光粉層設于所述第二透鏡的凹陷區側面和頂面或者包裹在所述LED芯片的側面和頂面。

9.一種LED發光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)制作LED芯片和基板，并將LED芯片邦定到該基板之上；

2)制作第一透鏡：在所述基板和芯片上通過旋涂式、印刷式或者類點膠式涂覆旋涂式玻璃材料。

10.如權利要求9所述的制作方法，其特征在于，步驟2)之后還包括以下步驟：

1)制作第二透鏡，將該第二透鏡覆蓋于所述第一透鏡之上；

2)將該LED器件置于固化爐中將所述第一透鏡固化成型。