[發明專利]圖像傳感器頂層刻蝕方法以及圖像傳感器

有效

• 申請號: 201210061943.6
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN102592984A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 令海陽;包德君;黃慶豐
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L27/146
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種圖像傳感器頂層刻蝕方法，所述圖像傳感器包括感光區域、遮光區域以及外圍電路，其中所述遮光區域以及所述外圍電路依次布置在所述感光區域的兩側；其特征在于所述圖像傳感器頂層刻蝕方法包括：

在互聯層上形成第一鈍化層；

在所述第一鈍化層上形成頂層層間介質層；

在所述頂層層間介質層上沉積第二鈍化層；

執行第一刻蝕步驟，以利用掩膜版刻蝕所述頂層層間介質層和所述第二鈍化層，由此暴露了所述感光區域上的所述第一鈍化層；

不利用任何掩膜，在整個芯片上覆蓋第三鈍化層；以及

執行第二刻蝕步驟，利用與所述第一刻蝕步驟相同的掩膜版對所述第三鈍化層進行刻蝕。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器頂層刻蝕方法，其特征在于，所述第三鈍化層覆蓋了所述第一刻蝕步驟中所形成的所有凹槽的側壁。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器頂層刻蝕方法，其特征在于，所述第二刻蝕步驟保留了所述第一刻蝕步驟中所形成的所有凹槽的側壁上的所述第三鈍化層。

4.根據權利要求1或2所述的圖像傳感器頂層刻蝕方法，其特征在于，所述第一鈍化層、所述第二鈍化層和所述第三鈍化層的材料是氮化硅。

5.一種利用根據權利要求1至4之一所述的圖像傳感器頂層刻蝕方法制成的圖像傳感器。