[發明專利]應用于半導體存儲裝置的逆止閥無效
| 申請號: | 201210061750.0 | 申請日: | 2012-03-09 |
| 公開(公告)號: | CN103311163A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發明(設計)人: | 呂保儀;鍾承恩 | 申請(專利權)人: | 家登精密工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;F16K15/14 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 半導體 存儲 裝置 逆止閥 | ||
技術領域
本發明是有關于一種半導體存儲設備,特別是有關于一種配置于半導體存儲設備中的逆止閥;其中,半導體存儲設備可以是掩膜盒或是晶圓盒。
背景技術
近代半導體科技發展迅速,其中光學光刻技術(Optical?Lithography)扮演重要的角色,只要是關于圖形(pattern)定義,皆需仰賴光學光刻技術。光學光刻技術在半導體的應用上,是將設計好的線路制作成具有特定形狀可透光的掩膜(photo?mask)。利用曝光原理,則光源通過掩膜投影至硅晶圓(silicon?wafer)可曝光顯示特定圖案。由于任何附著于掩膜上的塵埃顆粒(如微粒、粉塵或有機物)都會造成投影成像的質量劣化,用于產生圖形的掩膜必須保持絕對潔凈,而被投射的硅晶圓或者其他半導體投射體亦必須保持絕對清靜,因此在一般的晶圓工藝中,都提供無塵室(clean?room)的環境以避免空氣中的顆粒污染。然而,目前的無塵室也無法達到絕對無塵狀態。
因此,現代的半導體工藝皆利用抗污染的存儲設備進行掩膜及晶圓的保存與運輸,以使掩膜及晶圓保持潔凈;也利用抗污染的半導體元件存儲設備進行半導體元件的保存與運輸,以使半導體元件保持潔凈。
半導體元件存儲設備是在半導體工藝中用于存放半導體元件,以利半導體元件在機臺之間的搬運與傳送,并隔絕半導體元件與大氣的接觸,避免半導體元件被雜質污染而產生變化。因此,在先進的半導體元件廠中,通常會要求掩膜存儲設備與半導體元件存儲設備的潔凈度要符合機械標準接口(Standard?Mechanical?Interface;SMIF),也就是說保持潔凈度在Class?1以下。故,在掩膜存儲設備與半導體元件存儲設備中充入氣體便是目前解決的手段之一。
一般會經由逆止閥來對存儲設備進行充氣及抽氣的動作,如圖1所示,閥體通常具有一閥體a配置于閥體收納筒b內,一壓扣c,一彈性結構d夾于閥體a及彈性結構d之間,及一濾器e,配置于壓扣c后方;當要對逆止閥充氣時,會按壓閥體a,使閥體a脫離閥體收納筒b形成一通道,氣體便經由通道通過閥體收納筒b,在經由壓扣c及后方的濾器e進入存儲設備內;而當停止充氣時,停止按壓閥體a,通過彈性結構d將閥體a彈回閥體收納筒b,以形成封閉狀態。
然而,經由閥體a多次的運作后,會與逆止閥多個元件產生多次摩擦,因此容易產生許多的微粒(Particle),而微粒便會污染存放于存儲設備內的掩膜及晶圓,會使得掩膜或晶圓遭受到污染,導致無法再使用而必須報廢的窘境,使得制造成本增加。因此提供一個不會產生污染物的充氣設備,是一個重要的議題。
有鑒于此,本發明所提供掩膜存儲設備與晶圓存儲設備的逆止閥,乃針對先前技術加以改良。
發明內容
為了解決上述問題,本發明的一主要目的在于提供一種逆止閥配置于晶圓盒內,通過具有彈性的單一元件本身的開合,防止過多微粒產生,以避免污染晶圓盒內的晶圓。
依據上述目的,本發明提供一種晶圓盒,主要包括一盒體,在盒體的一側面是形成一開口,及一門體,門體是與開口相結合,并形成一容置空間,提供晶圓放置,其中晶圓盒的特征在于:在盒體內配置至少一對逆止閥,每一逆止閥包括一圓形柱及一逆止件,圓形柱為一中空柱體,并將逆止件嵌置在圓形柱內,其中逆止件包括:一圓形穹頂體,具有一隆起頂端及一圓形底端;一圓環,形成并環繞于圓形底端;及至少一條切割線,由隆起頂端的中央處往圓形底端延伸。
本發明的另一主要目的在于提供一種逆止閥配置于掩膜盒內,通過單一元件本身的開合,防止過多微粒產生,以避免污染掩膜盒內的掩膜。
依據上述目的,本發明提供一種掩膜盒,主要包括一上蓋及一下蓋,上蓋是與下蓋相結合,并形成一容置空間,提供掩膜放置,其中掩膜盒的特征在于:在掩膜盒內配置至少一對逆止閥,每一逆止閥包括一圓形柱及一逆止件,圓形柱為一中空柱體,并將逆止件嵌置在圓形柱內,其中逆止件包括:一圓形穹頂體,具有一隆起頂端及一圓形底端;一圓環,形成并環繞于圓形底端;及至少一條切割線,由隆起頂端的中央處往圓形底端延伸。
經由本發明所提供的設計,使晶圓盒及掩膜盒在進行充氣及抽氣的動作時,可防止過多微粒產生,以避免污染存儲設備內的半導體元件。
附圖說明
為能更清楚地說明本發明,以下列舉較佳實施例并配合附圖詳細說明如后,其中:
圖1是為已知逆止閥示意圖;
圖2是為本發明的逆止閥示意圖;
圖3A是為本發明的逆止件充氣示意圖;
圖3B是為本發明的逆止件停止充氣示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





