[發明專利]一種提高區熔硅單晶徑向電阻率均勻性的方法無效
| 申請號： | 201210061384.9 | 申請日： | 2012-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN102586859A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 張雪囡;王彥君;李建宏;鄔麗麗;陳強;苗向春;李軍 | 申請（專利權）人： | 天津市環歐半導體材料技術有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/30 | 分類號： | C30B13/30;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中環專利商標代理有限公司 12105 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 區熔硅單晶 徑向 電阻率 均勻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高區熔硅單晶徑向電阻率均勻性的方法，其特征在于：還包括有旋轉磁場發生器（3）和支架（5），旋轉磁場發生器（3）通過支架（5）固定在區熔爐爐室的爐壁（4）內，旋轉磁場發生器（3）內壁距離硅單晶表面1～30cm；方法步驟為
⑴、將卡盤安裝在多晶料棒6頭部并用扳手擰緊，將卡盤安裝在上軸底端，調整多晶料棒（6）使之呈豎直狀態，安裝加熱線圈(1)和保溫筒(2)并用水平儀進行水平調整，關閉爐門抽空，之后充入Ar氣使爐壓達到4bar；
⑵、下降多晶料棒（6），緩慢增加功率進行加熱，待多晶料棒（6）下端出現熔體后，上升籽晶與熔體接觸進行過熱引晶；
⑶、引晶完畢后，開啟下速進行拉細頸，達到設定細頸長度時降低下速進行擴肩，此時開始通入摻雜氣體，并開啟旋轉磁場發生器（3），旋轉磁場的頻率為1～19Hz，強度為600～1300Gauss；
⑷、當擴肩直徑達到設定值時，降低下軸速度開始等徑生長；
⑸、等徑生長完成后收尾停爐，關閉旋轉磁場發生器（3）并取出硅單晶（8）。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于天津市環歐半導體材料技術有限公司，未經天津市環歐半導體材料技術有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210061384.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
